赛米微尔半导体(上海)有限公司汪立勇获国家专利权
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龙图腾网获悉赛米微尔半导体(上海)有限公司申请的专利一种用于二极管的表面加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120116031B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510496936.6，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种用于二极管的表面加工工艺是由汪立勇;涂晓;黄建新设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于二极管的表面加工工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及二极管技术领域，尤其涉及一种用于二极管的表面加工工艺，对多个二极管进行预处理形成待抛光组，通过检测表面粗糙度动态调整抛光下压力；采用等离子清洗抛光后的二极管组，结合光学照射评估表面清洁度，对清洁二极管组二次检测表面粗糙度，筛选符合钝化标准的批次；实施钝化处理时，同步监测钝化层裂纹面积和裂纹宽度，根据实际裂纹评价值调节钝化等离子体功率。本工艺通过闭环调控：抛光阶段动态匹配表面状态的压力控制，清洗阶段优化清洗等离子体功率与极间距的协同作用，本发明通过调节抛光下压力、清洁等离子体功率和清洁间距保证待钝化二极管清洁度以及通过调整钝化等离子体功率保证钝化层厚度符合钝化需求。
本发明授权一种用于二极管的表面加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于二极管的表面加工工艺，其特征在于，包括以下步骤， 对若干二极管进行预处理，得到待抛光二极管组，检测所述待抛光二极管组的预处理表面粗糙度，根据所述预处理表面粗糙度确定一次抛光下压力，检测抛光后的二极管组的粗糙度得到第一粗糙度； 将抛光后的二极管组进行等离子清洗，得到清洁二极管组，利用光学照射检测所述清洁二极管组的表面清洁度，以判定所述表面清洁度是否满足加工需求； 检测满足清洁度需求的二极管组的粗糙度得到第二粗糙度，根据所述第一粗糙度和所述第二粗糙度得到相对附着力，基于相对附着力与标准附着力的对比结果确定待钝化二极管是否满足钝化需求； 对满足钝化需求的二极管进行钝化处理，得到实际钝化层，检测所述实际钝化层裂纹形态参数以判断是否再次调整钝化等离子功率； 其中，所述裂纹形态参数包括裂纹宽度和裂纹面积。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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