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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510446110.9，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法是由陈煜倩设计研发完成，并于2025-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法，涉及半导体领域。测试结构包括第一待测金属线和第二待测金属线，第一待测金属线及第二待测金属线堆叠分布，导电测试结构包括第一导电测试部和或第二导电测试部，第一导电测试部与第一待测金属层同层分布，第二导电测试部与第二待测金属层同层分布；第一导电测试部的各处等线宽，第二导电测试部的各处也等线宽；第一导电测试部与第一待测金属线的间距处处相等，第二导电测试部与第二待测金属线的间距处处相等；第一待测金属线与第二待测金属线通过过孔连接；第一测试垫与第一导电测试部或第二导电测试部连接；第二测试垫与第一待测金属线或第二待测金属线连接。

本发明授权半导体测试结构及金属层间对准偏移的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 层叠分布的第一待测金属层及第二待测金属层，所述第一待测金属层和所述第二待测金属层之间被层间介质层填充，所述第一待测金属层包括等线宽的第一待测金属线，所述第二待测金属层包括等线宽的第二待测金属线； 导电测试结构，包括第一导电测试部和或第二导电测试部，所述第一导电测试部与所述第一待测金属层同层分布，所述第二导电测试部与所述第二待测金属层同层分布，在所述导电测试结构包括所述第一导电测试部和所述第二导电测试部时，所述第一导电测试部和所述第二导电测试部通过所述层间介质层绝缘；其中，所述第一导电测试部的各处等线宽，所述第二导电测试部的各处也等线宽；所述第一导电测试部与所述第一待测金属线的间距处处相等，所述第二导电测试部与所述第二待测金属线的间距处处相等； 所述第一待测金属线与所述第二待测金属线之间通过多个过孔连接，所述过孔贯穿所述层间介质层；所述过孔在所述第一待测金属线和所述第二待测金属线上的两个方向均有分布，以实现监控两个方向上的所述第一待测金属线和所述第二待测金属线的对准偏移情况； 第一测试垫，与所述第一导电测试部或所述第二导电测试部连接； 第二测试垫，与所述第一待测金属线或所述第二待测金属线连接。

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