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龙图腾网获悉中山市光圣半导体科技有限公司申请的专利晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119946949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510425621.2，技术领域涉及：H05B47/105；该发明授权晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法及相关设备是由夏正浩;张康;林威;罗明浩设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请涉及光源调控技术领域，公开了晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法及相关设备，该方法包括：确定晶圆缺陷检测的初始检测参数；根据初始检测参数获取目标晶圆的晶圆表面图像；识别晶圆表面图像的缺陷信息；根据缺陷信息评估初始检测参数的检测效果值；若检测效果值低于预设检测阈值，则根据缺陷信息生成UV光源调控策略。通过本申请方案的实施，通过获取初始检测参数并评估检测效果值,建立了一个闭环反馈机制，及时发现检测效果不理想的情况，并据此调整UV光源参数，确保缺陷检测始终保持在最佳状态，提高晶圆缺陷检测的准确性。

本发明授权晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆缺陷检测的UV光源精确调控方法，其特征在于，包括： 确定晶圆缺陷检测的初始检测参数； 根据所述初始检测参数获取目标晶圆的晶圆表面图像； 识别所述晶圆表面图像的缺陷信息； 根据所述缺陷信息评估所述初始检测参数的检测效果值； 所述根据所述缺陷信息评估所述初始检测参数的检测效果值的步骤，包括： 根据所述缺陷信息生成缺陷统计报告； 根据所述缺陷统计报告确定所述晶圆缺陷检测的检出率、误检率以及漏检率； 通过将所述误检率以及所述漏检率转换为惩罚因子对所述检出率进行指数惩罚，确定所述检测效果值； 若检测效果值低于预设阈值，则根据映射模型预测的最优参数对UV光源进行调整，直至所述检测效果值达到预设检测阈值； 基于Jonscher通用幂律模型确定所述目标晶圆在UV光源照射下的介电响应特性；其中，Jonscher通用幂律模型通过如下公式表示： ， 其中，为介电损耗，为低频介电常数，为高频介电常数，它们分别反映了材料在静态电场和迅速变化电场中的介电特性，为UV光源的激发频率，激发频率决定了系统响应的频率范围，为弛豫时间常数，介电弛豫过程的时间尺度，n为幂指数，描述了介电损耗随频率变化的速率，j为虚数单位； 在存在缺陷的区域测量介电响应数据，将介电响应数据代入Dissado-Hill模型；基于Dissado-Hill模型分析所述介电响应特性与缺陷类型之间的关联关系；Dissado-Hill模型通过如下公式进行表示： ， 其中，为复介电常数，描述材料的整体介电响应，为介电弛豫强度，反映极化程度，为特征弛豫时间，表征极化过程的时间尺度，a为短程序参数，描述局部结构单元内部的关联性，b为长程序参数，描述不同结构单元之间的关联性，通过对比无缺陷区域和存在不同类型缺陷区域的介电响应差异，建立缺陷特征与介电响应参数之间的关联关系； 根据所述关联关系建立晶圆缺陷特征与UV光源参数的映射模型；将缺陷类型、尺寸、深度作为输入变量，UV光源的波长、强度、照射角度作为输出变量，通过神经网络训练得到最优参数映射模型。

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