浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种高效率碳化硅单晶生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119900075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510396937.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种高效率碳化硅单晶生长装置是由高冰;李璐杰设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效率碳化硅单晶生长装置在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶体生长领域，尤其涉及一种高效率碳化硅单晶生长装置，其包括一个坩埚主体，所述坩埚主体从上至下按照温区分布划分为高温区以及低温区，且所述高温区以及低温区相互连通；其中，所述高温区内设置有一个用于盛放碳化硅粉源的粉料曲，所述高温区的顶部还设置有一个用于盛放碳粉的碳粉区；所述低温区底部粘结设置有一个用于沉积碳化硅晶体的籽晶；所述坩埚主体内部还设置有用于过滤固体颗粒掉落至籽晶表面的过滤装置。本申请通过改变坩埚主体内部高温区与低温区的设置方向，有效改变了用于碳化硅单晶沉积的气体的扩散方向以及分布方式，从而提升了晶体生长速率。
本发明授权一种高效率碳化硅单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种高效率碳化硅单晶生长装置，其特征在于， 包括一个坩埚主体（1），所述坩埚主体（1）从上至下按照温区分布划分为高温区（2）以及低温区（3），且所述高温区（2）以及低温区（3）相互连通；其中， 所述高温区（2）内设置有一个用于盛放碳化硅粉源的碳化硅粉料区（4），所述高温区（2）的顶部还设置有一个用于盛放碳粉的碳粉区（5）； 所述低温区（3）底部粘结设置有一个用于沉积碳化硅晶体的籽晶（6）； 所述坩埚主体（1）从上到下依次包括坩埚顶盖（11）、坩埚筒（12）以及籽晶盖（13）； 所述碳粉区（5）设置于所述坩埚顶盖（11）的下方，所述籽晶（6）粘结于所述籽晶盖（13）的顶端，使得在碳化硅沉积过程中累积的Si气氛将趋向于在坩埚顶盖（11）处扩散分布，粉料挥发的Si2C、SiC2气氛则趋向于坩埚底部的籽晶盖（13）处分布； 所述坩埚主体（1）内部还设置有用于过滤固体颗粒掉落至籽晶（6）表面的过滤装置（7）。
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