天津大学马雷获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604045B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510125602.8，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权紫外光电探测器及其制备方法是由马雷;王雪;马彦青;靳炜;唐曹设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外光电探测器及其制备方法，紫外光电探测器包括：碳化硅衬底；石墨烯沟道，由外延生长在碳化硅衬底上的石墨烯材料构成，石墨烯材料在拉曼光谱中的D峰与G峰的强度比不大于0.25；两个金属电极，设置在碳化硅衬底上且分别搭接于石墨烯沟道的两侧；石墨烯沟道和碳化硅衬底之间具有功函差，石墨烯沟道和碳化硅衬底的接触界面形成内建电场，当外部的紫外光照射至碳化硅衬底时，碳化硅衬底中形成电子‑空穴对，在内建电场的作用下，空穴由碳化硅衬底注入石墨烯沟道中，空穴由石墨烯沟道移动至金属电极，以形成光电流，紫外光电探测器在外部的紫外光的照射下能够实现103AW量级响应。
本发明授权紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光电探测器，其特征在于，包括： 碳化硅衬底； 石墨烯沟道，由将所述碳化硅衬底置于石墨坩埚在惰性气体气氛中进行热解处理所外延生长形成的石墨烯材料构成，其中，所述石墨烯沟道为单层，所述石墨烯材料在拉曼光谱中的D峰与G峰的强度比不大于0.25； 两个金属电极，设置在所述碳化硅衬底上且分别搭接于所述石墨烯沟道的两侧； 其中，所述石墨烯沟道和所述碳化硅衬底之间具有功函差，所述石墨烯沟道和所述碳化硅衬底的接触界面形成内建电场。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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