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龙图腾网获悉江苏富乐华半导体科技股份有限公司;江苏富乐华功率半导体研究院有限公司申请的专利一种氮化硅瓷片及其表面处理工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119930326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510114756.7，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种氮化硅瓷片及其表面处理工艺是由王斌;沈嘉伟;葛荘;朱锐;石亮;丁颖颖设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化硅瓷片及其表面处理工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体表面处理技术领域，具体为一种氮化硅瓷片及其表面处理工艺。包括以下步骤：步骤1：将氮化硅陶瓷坯体进行烧结，得到氮化硅陶瓷；步骤2：将氮化硅陶瓷依次进行激光预处理、双面磨工艺，得到预处理氮化硅瓷片；步骤3：将预处理氮化硅瓷片浸入酸蚀液中，进行酸蚀处理，得到氮化硅瓷片A；步骤4：将氮化硅瓷片A进行一次清洗，得到氮化硅瓷片B；步骤5：将氮化硅瓷片B进行二次清洗，得到氮化硅瓷片C；步骤6：将氮化硅瓷片C表面镀制一层碳化硅改性薄膜；以此得到一种氮化硅瓷片。

本发明授权一种氮化硅瓷片及其表面处理工艺在权利要求书中公布了：1.一种氮化硅瓷片的表面处理工艺，其特征在于：包括以下步骤： 步骤1：将氮化硅陶瓷坯体进行烧结，得到氮化硅陶瓷； 步骤2：将氮化硅陶瓷依次进行激光预处理、双面磨工艺，得到预处理氮化硅瓷片； 步骤3：将预处理氮化硅瓷片浸入酸蚀液中，进行酸蚀处理，得到氮化硅瓷片A； 步骤4：将氮化硅瓷片A进行一次清洗，得到氮化硅瓷片B； 步骤5：将氮化硅瓷片B进行二次清洗，得到氮化硅瓷片C； 步骤6：将氮化硅瓷片C表面镀制一层碳化硅改性薄膜，得到氮化硅瓷片； 所述氮化硅陶瓷的原料包括：100份α-氮化硅、12～15份改性氮化钛、8～10份助烧结剂；所述助烧结剂包括质量比为0.8～1.2：0.8～1.2的氟化镁、三氧化二钇； 所述改性氮化钛的制备方法为： S1-1：将质量比为2.1：2.3～3.4的乙烯基二茂铁、巯基硅烷偶联剂加入至四氢呋喃中，加入偶氮二异丁腈，紫外光照下搅拌2～4小时，减压蒸馏除去溶剂，得到二茂铁基偶联剂； S1-2：按重量份数计，将1～2份氮化钛加入至80～85wt％的乙醇水溶液中，得到0.1～0.2gmL分散液；加入2.5～5份纳米氧化铝溶胶超声分散；在800～2000rmin下搅拌均匀，加入0.5～1份二茂铁基偶联剂，搅拌4～5小时，离心、干燥，得到改性氮化钛。

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