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龙图腾网获悉中国科学院精密测量科学与技术创新研究院申请的专利一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119555655B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510100415.4，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置及方法是由管桦;陈邵龙;周志强;张国盛;黄垚;高克林设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置，通过透镜组使离子成像到滤光狭缝，并通过反射镜和漫散射片使校刻灯出射光经过漫散射到衍射狭缝，从而与离子荧光发射区域等效重合；本发明还公开一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻方法，利用惰性气体离子已知波长优化校刻灯出射光谱线的选择，利用优化选择的校刻灯出射光谱线校刻待测离子荧光波长，并同步以惰性气体的谱线来辅助校刻，实现待测离子荧光波长的高精度校刻。本发明有效解决由于校刻灯出射光谱线不准确或选择不合适导致待测离子光谱测量精度差或测量错误，并有效避免校刻光无法与离子发出荧光完全重合带来的校刻误差，最终大幅度提升光谱测量的精度和准确性。

本发明授权一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、搭建一种应用于离子荧光波长测量的高精度校刻装置； 步骤2、离子阱（2）中注入惰性气体离子，利用EMCCD相机（11）分别采集惰性气体离子荧光光谱的图片以及校刻灯出射光光谱的图片；基于惰性气体离子荧光光谱的图片获取每条惰性气体离子荧光谱线的位置坐标；基于校刻灯出射光光谱的图片获取每条校刻灯出射光谱线的位置坐标以及对应的校刻灯出射光谱线波长； 步骤3、依据设定的校刻灯辅助校刻谱线数目，选取多条校刻灯出射光谱线作为校刻灯辅助校刻谱线； 校刻灯辅助校刻谱线满足：将校刻灯辅助校刻谱线的位置坐标以及对应的校刻灯出射光谱线波长组成的数据对进行二维的多项式拟合得到校刻多项式，惰性气体离子荧光谱线的位置坐标输入校刻多项式获得惰性气体离子荧光谱线对应的拟合惰性气体离子荧光波长，所有惰性气体离子荧光谱线中有设定比例的惰性气体离子荧光谱线对应的拟合惰性气体离子荧光波长与NIST数据库中惰性气体离子荧光波长推荐值符合； 将拟合惰性气体离子荧光波长与NIST数据库中惰性气体离子荧光波长推荐值符合的惰性气体离子荧光谱线作为惰性气体离子辅助校刻荧光谱线； 步骤4、将离子阱（2）中的惰性气体离子换成待测离子，EMCCD相机（11）采集待测离子荧光光谱的图片，利用步骤3中校刻灯辅助校刻谱线或利用校刻灯辅助校刻谱线与惰性气体离子辅助校刻荧光谱线，获得待测离子荧光光谱中各条待测离子荧光谱线对应的待测离子荧光波长测量值。

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