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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种复合多层忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119522036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510080307.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种复合多层忆阻器及其制备方法是由白永庆;薛飞;俞滨设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合多层忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合多层忆阻器及其制备方法，本发明的复合多层忆阻器设有具有阵列化通孔的活性电极调制层，使得活性电极层原子在穿过功能层前，预先经活性电极调制层进行了活性电极的阵列化优化，实现了导电细丝形成位点的阵列化调控，因此显著提升了忆阻器的均一性和稳定性。不同于专门的活性电极阵列化制备工艺，本方法通过调控功能层的制备工艺，可直接实现功能层和活性电极调制层的连续制备，无需复杂的制备工艺，成本低廉，可大规模制备。

本发明授权一种复合多层忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合多层忆阻器，其特征在于，包括基底层以及在基底层上依次形成的惰性电极层、功能层、活性电极调制层、活性电极层， 所述功能层和活性电极调制层均为氧化物材料，所述活性电极调制层具有阵列化的通孔，所述活性电极层具有沿所述通孔延伸到所述功能层的连接点； 所述功能层的厚度为8~12nm；所述活性电极调制层的厚度为3~8nm； 所述复合多层忆阻器的制备方法，包括以下步骤： （1）清洗基底层材料； （2）在基底层表面沉积粘附层； （3）在粘附层表面沉积惰性电极层； （4）在惰性电极层表面生长功能层； （5）在功能层表面生长活性电极调制层； （6）在活性电极调制层表面沉积活性电极层； （7）在活性电极层表面沉积电极保护层； 其中，步骤（4）中，依次循环通入用于形成功能层的前驱体和氧源反应气体，以实现功能层氧化物材料的逐层生长；步骤（5）中，依次循环通入用于形成活性电极调制层的前驱体和氧源反应气体，以实现活性电极调制层氧化物材料的逐层生长；用于形成活性电极调制层的前驱体和氧源反应气体的摩尔比不高于用于形成功能层的前驱体和氧源反应气体的摩尔比，且生长活性电极调制层时的温度低于生长功能层时的温度，从而使得生长形成的所述活性电极调制层具有阵列化的通孔，而沉积形成的所述活性电极层具有沿所述通孔延伸到所述功能层的连接点。

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