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龙图腾网获悉南通威斯派尔半导体技术有限公司申请的专利一种覆铜陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119775042B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411982345.1，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种覆铜陶瓷基板及其制备方法是由刘晓辉;周鑫设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种覆铜陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种覆铜陶瓷基板及其制备方法，在覆铜板制备时采用氮化硅陶瓷基板，先将氮化硅陶瓷基板依次通过丙酮、无水乙醇和去离子水进行表面清洗除油，以去除其表面杂质，再将其表面边缘通过激光加工预切出焊料导流槽，再在陶瓷基板表面旋涂光刻胶，曝光显影出焊料槽图形，该焊料槽图形与预设的后续电路化的图形一致，再进行ICP刻蚀出焊料槽，焊料槽与焊料导流槽相互连接；本发明工艺设计合理，操作简单，制备得到的覆铜板具有较优异的强度，陶瓷基板与铜箔之间结合性能较好，且在覆铜陶瓷基板加工过程中能够对焊料进行控制，避免其出现溢出扩散的情况，产品整体外观优异，且良率较高，可用于批量化生产，具有较高的实用性。

本发明授权一种覆铜陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： （1）取陶瓷基板，丙酮溶液超声清洗10~15min，再依次采用依次无水乙醇、去离子水超声清洗，超声清洗时间均为10~15min，氮气吹干； （2）在陶瓷基板一侧表面边缘预切焊料导流槽，去离子水清洗，干燥，再在陶瓷基板表面旋涂光刻胶，100~110℃下烘烤10~15min，紫外曝光，显影，暴露出焊料槽图形，将陶瓷基板置于ICP刻蚀机中进行ICP刻蚀，在陶瓷基板表面刻蚀出焊料槽，所述焊料槽与焊料导流槽相互连接； 取ICP刻蚀后的陶瓷基板，去除表面光刻胶，再依次通过丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗，超声清洗时间均为10~15min，氮气吹干； （3）取改性石墨烯、氧化铝、碳酸钙、碳化硅、氮化硅，混合均匀后球磨，加入分散剂、粘结剂和水，搅拌均匀，得到过渡涂覆料，将其涂覆至焊料槽中，1500~1600℃高温下烧结30~40min，得到过渡层； （4）取银粉、铜粉、氢化钛粉和改性石墨烯，混合搅拌均匀后研磨5~10min，160~180rmin转速下球磨40~50min，球磨后加入增稠剂、分散剂、溶剂、抗氧化剂和触变剂，混合搅拌均匀，得到焊料； 将焊料涂覆至焊料导流槽、焊料槽内，并覆盖在过渡层上，得到活性焊料层； （5）重复步骤（2）~（4），在陶瓷基板另一侧加工相互连接的焊料槽与焊料导流槽，并涂覆过渡层和活性焊料层，去离子水清洗，干燥； 取铜箔，固定在陶瓷基板两侧，高温钎焊，得到覆铜板；取覆铜板，进行电路图形化处理，刻蚀出预设电路图形，得到所述覆铜陶瓷基板； 步骤（2）中，所述焊料槽的图形与预设电路图形相同，当预设电路图形宽度为a，所述焊料槽宽度为0.6a~0.8a； 所述改性石墨烯制备方法为：取五水硫酸铜、硝酸银，混合后加入氧化石墨烯水溶液、去离子水、柠檬酸钠和硼氢化钠，25~30℃下搅拌反应1~2h，反应结束后静置2~3h，抽滤洗涤，真空干燥，得到改性石墨烯。

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