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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种单片集成光发射芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939831.5，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权一种单片集成光发射芯片及其制作方法是由赵自闯;蒋晨龙设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成光发射芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种单片集成光发射芯片及其制作方法，涉及半导体器件的技术领域，该芯片包括衬底、无源波导层、第一激光器层、第二激光器层、调制器层、包层和接触层，无源波导层通过按照预定的图案刻蚀形成，包括两个输入分支和一个输出分支，第一激光器层设置在其中一个输入分支上，第二激光器层及调制器层设置在另一个光信号输入分支上，其中，两个输入分支的路径耦合到输出分支的路径中，两个激光器层上设置光栅，包层及接触层设置在这些功能层上方；本申请在芯片中集成了两种不同的激光器层，并通过预定图案的无源波导层对不同激光器层发射的光信号进行合波输出，本申请中的技术方案有效降低了光发射模块的成本，减少功耗，提高产品可靠性。

本发明授权一种单片集成光发射芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成光发射芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 步骤1，准备衬底（10），在衬底（10）上生长无源波导材料，并按照预定图案对无源波导材料层进行刻蚀，形成无源波导层（30），所述无源波导层（30）包括第一输入分支、第二输入分支和输出分支，在第一输入分支所在区域划分出第一激光器区及第一放大器区，在第二输入分支所在区域划分出第二激光器区、调制器区及第二放大器区，在输出分支所在区域划分出第三放大器区； 步骤2，至少在第一输入分支所在区域生长短波长量子阱材料层，选择性去除第一激光器区及第一放大器区以外的其他区域的短波长量子阱材料，形成第一激光器层（40）及第一放大器层（71）； 步骤3，分别在第二激光器区及第二放大器区的两侧制作特定间距的选择区域外延掩膜对，然后至少在第二输入分支及输出分支所在区域生长长波长量子阱材料层，选择性去除第二激光器区、调制器区、第二放大器区及第三放大器区以外的其他区域的长波长量子阱材料，形成第二激光器层（50）、调制器层（60）、第二放大器层（72）及第三放大器层（73）； 其中，所述第二激光器区两侧的选择区域外延掩膜对的长度与第二激光器区的长度相同，所述第二放大器区两侧的选择区域外延掩膜对的长度与第二放大器区的长度相同，两对选择区域外延掩膜对的特定间距均满足条件：调制器层（60）及第三放大器层（73）的发光波长比第二激光器层（50）及第二放大器层（72）的发光波长短30至100nm； 步骤4，在第一激光器层（40）及第二激光器层（50）上分别制作第一光栅层（41）及第二光栅层（51）； 步骤5，在各个功能层上从下到上依次生长包层（80）及接触层（90），使用掩膜覆盖激光器区、放大器区及调制器区以外的其他区域的接触层（90），并对未覆盖区域的包层（80）及接触层（90）进行p型掺杂。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉国科光领半导体科技有限公司，其通讯地址为：430200 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地二期1号楼1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。