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龙图腾网获悉武汉国科光领半导体科技有限公司申请的专利一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119742661B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411939837.2，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法是由姚广峰;付文锋设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法，涉及半导体激光器制作的技术领域，该直接调制激光器阵列芯片中设置至少两个输入路径和一个输出路径，所有输入路径共同耦合到一个输出路径中，形成激光器阵列，每个输入路径中设置一个激光器单元以及一个能够与之形成等效FP反馈腔的光栅结构，光栅结构均通过按照预定的图案对光栅材料刻蚀形成，且刻蚀穿过光栅结构并延伸至下方的间隔层中；本申请中的技术方案能够在激光器阵列中引入了光光谐振效应的同时，通过电子束曝光和干法刻蚀相结合的方式在单次刻蚀中获得具有不同反射率的多个光栅结构，减小了芯片制作的工艺复杂度。

本发明授权一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种直接调制激光器阵列芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括： 步骤1，准备衬底（10），在衬底（10）设置至少两个输入路径和一个输出路径，所有输入路径共同耦合到输出路径中，在单个输入路径上从远离耦合位置的一端开始依次设置第一分布布拉格反射区、激光器区、无源波导区和第二分布布拉格反射区，将剩余的输入路径与输出路径连接的区域作为合波器区； 步骤2，在衬底（10）上依次生长量子阱层（30）、第一间隔层（41）和第一光栅层，选择性去除无源波导区、第二分布布拉格反射区和合波器区所生长的材料； 步骤3，在无源波导区、第二分布布拉格反射区和合波器区所在的整体区域内，从下至上依次对接生长波导层（60）、第二间隔层（42）和第二光栅层，其中，令第二光栅层的厚度小于第一光栅层的厚度；不同的输入路径上设置不同厚度的第一光栅层和第二光栅层； 步骤4，采用电子束在第一光栅层和第二光栅层上设置预定图案，按照预定图案分别从第一光栅层和第二光栅层开始向下刻蚀，刻蚀穿过第一光栅层和第二光栅层并分别延伸至下方的第一间隔层（41）和第二间隔层（42）中，形成第一图案化光栅层（51）和第二图案化光栅层（52）； 步骤5，在由量子阱层（30）、间隔层（41）、第一图案化光栅层（51）、波导层（60）、第二间隔层（42）和第二图案化光栅层（52）构成的整个功能层上方依次生长包层（70）和接触层（80）； 步骤6，对于每条输入路径，在激光器区的接触层（80）上方制作第一电极（91），在第二分布布拉格反射区的接触层（80）上方制作第二电极（92）。

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