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龙图腾网获悉江西省科学院应用物理研究所申请的专利一种铜镍硅钴镁合金制备方法及铜镍硅钴镁合金获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411930871.3，技术领域涉及：C22C9/06；该发明授权一种铜镍硅钴镁合金制备方法及铜镍硅钴镁合金是由吴丹;胡锦铭;胡强;管博;曾思琪;幸振;吴凌康;王佳豪;邹晋设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铜镍硅钴镁合金制备方法及铜镍硅钴镁合金在说明书摘要公布了：本发明涉及合金制备技术领域，公开了一种铜镍硅钴镁合金制备方法及铜镍硅钴镁合金，通过在添加Co元素能促使铜合金析出Ni，Co2Si相，添加Mg元素可以促进铜合金中析出相的完全析出，因此为了进一步提升高端集成电路引线框架用Cu‑Ni‑Si合金的性能，本研究在Cu‑Ni‑Si三元组分基础上，添加了Co和Mg元素，并通过改变Mg元素含量，促进Ni，Co2Si相的充分析出，同时通过控制Mg元素的含量，在确保合金具有一定导电率的同时，可以确保合金整体具有一定的力学性能。

本发明授权一种铜镍硅钴镁合金制备方法及铜镍硅钴镁合金在权利要求书中公布了：1.一种铜镍硅钴镁合金制备方法，用于制备镍硅钴镁合金，按照合金组分质量分数计，其中：Ni为1.80％、Si为0.62％、Co为1.1％、Mg为0.12％-0.24％，余量为铜，其特征在于，包括如下步骤： 将高纯铜原料、镍原料、硅原料和钴原料放入熔炼设备中进行熔化； 对熔炼设备进行抽真空操作，将熔炼设备内部的气压降低至20Pa以下； 在熔炼设备内容通入惰性气体，使熔炼设备内部的气压增加至0.04-0.05Mpa之间； 在熔炼设备中通入镁原料，并启动熔炼设备对镁原料进行熔化； 对熔炼后得到的金属熔体进行静置，待冷却至常温后取出合金铸锭； 对得到的合金铸锭进行固溶操作，其中，固溶温度为800℃-900℃，固溶时长为5小时； 对经过固溶操作处理后的合金铸锭进行轧制操作，包括： 粗轧步骤：轧制温度为室温、单道次20％、轧辊转速30转分钟，粗轧轧制压下量为90％； 精轧步骤：轧制温度为室温、单道次10％、轧辊转速20转分钟，精轧轧制压下量为90％；总轧制压下量为99％； 在所述轧制操作步骤后，还包括：对经过轧制后合金在300-400℃进行时效处理，时效时间为10-40min，时效后空冷至室温。

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