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龙图腾网获悉浙江大学;浙江大学先进电气装备创新中心申请的专利一种车用电驱系统多参数辨识方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119324653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875758.X，技术领域涉及：H02P21/22；该发明授权一种车用电驱系统多参数辨识方法是由邱建琪;林俊鹏;林治臣;王剑;阎彦;史婷娜设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种车用电驱系统多参数辨识方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种考虑SiC开关特性和电机磁饱和特性的车用电驱系统多参数辨识方法，针对SiCMOSFET电压源逆变器，充分考虑死区时间、导通关断延迟、电压降和输出电容等多方面因素，构建了非线性电压误差数学模型，设计了逆变器模型参数离线辨识方法，以此降低逆变器非线性对电机参数辨识精度的影响；同时，本发明考虑车用永磁同步电机磁饱和及交叉饱和现象的影响，将d轴电流注入法和分步辨识法结合来解决多参数在线辨识中的欠秩问题，实现对定子电阻、交直轴视在电感和互感、永磁磁链电磁参数的同时进行在线辨识，辨识误差不超过±5%。

本发明授权一种车用电驱系统多参数辨识方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑SiC开关特性和电机磁饱和特性的车用电驱系统多参数辨识方法，包括如下步骤： （1）考虑SiCMOSFET的开关物理特性包括开关管和体二极管的导通压降、死区效应、开关管导通和关断延时、开关管导通和关断时寄生电容的充放电，建立不同电流下的VSI非线性电压误差模型并对其进行简化； 所述VSI非线性电压误差模型的表达式如下： ; 简化后的VSI非线性电压误差模型，其表达式如下： ; ; 其中：Δui x 表示VSI的x相非线性电压误差，I cc为临界电流，i x 为VSI的x相电流，x=A,B,C，c 1~c 4为待整定参数，U dc为VSI的直流电压，C为VSI中SiCMOSFET的寄生电容容值，U SiC为SiCMOSFET的导通压降，U diode为SiCMOSFET反并联二极管的导通压降，T d为死区时间，Δu 1i x ~Δu 4i x 分别为开关管和二极管导通压降、死区效应、开关管导通和关断延时、开关管导通时寄生电容充放电导致的VSI非线性电压误差，Δu 5i x 和Δu 6i x 为开关管关断时寄生电容充放电导致的VSI非线性电压误差，I c1为开关管导通时寄生电容的充放电电流，I c3为在|i x |＜I cc情况下开关管关断的其中一个阶段时寄生电容的充放电电流； （2）在离线条件下对不同电流下的VSI非线性电压误差进行标定； （3）利用最小二乘法对标定得到的数据进行拟合，从而完成对VSI非线性电压误差模型的参数整定； （4）利用VSI非线性电压误差模型对非线性电压进行在线补偿，从而建立用于参数辨识的PMSM数学模型，其表达式如下： ; 其中：和分别为PMSM的d轴电压参考值和q轴电压参考值，Δu d和Δu q分别为VSI的d轴电压误差和q轴电压误差，R s为PMSM的定子电阻，ψ f为PMSM的永磁磁链，ω e为PMSM的电角速度，i d和i q分别为PMSM的d轴电流和q轴电流，L d_app、L q_app、L dq_app分别为PMSM的直轴视在电感、交轴视在电感、交叉耦合视在电感； （5）在电机在线运行过程中采集相关数据，利用采集到的数据先后通过两次最小二乘算法对PMSM数学模型进行参数辨识，得到包括定子电阻、永磁磁链、直轴视在电感、交轴视在电感、交叉耦合视在电感在内的多个参数，具体地：在电机在线运行的过程中先后注入两次d轴偏置电流，并采集这一过程中的相关数据包括PMSM的dq轴电流、dq轴电压参考值以及电角速度；然后利用采集到的数据通过分步辨识法对PMSM数学模型进行参数辨识，在首次辨识时，利用标称值或离线测量的结果初始化模型中的定子电阻和永磁磁链，进而采用递推最小二乘法辨识电感参数；最后将辨识得到的电感参数作为已知量，利用PMSM的dq轴电流、dq轴电压参考值以及电角速度采用递推最小二乘法进行二次辨识，得到定子电阻和永磁磁链； 当PMSM的dq轴电流发生明显变化时，重复执行步骤（5）；若dq轴电流较长时间保持恒定，则隔10s采用递推最小二乘法进行二次辨识，更新定子电阻和永磁磁链的数值。

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