苏州华太电子技术股份有限公司兰金龙获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利超结IGBT及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342854B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864647.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权超结IGBT及其制造方法是由兰金龙;祁金伟设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本超结IGBT及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种超结IGBT及其制造方法，其中，超结IGBT包括：漂移区；所述漂移区内形成有柱区，柱区的导电类型与漂移区的导电类型相反；柱区沿漂移区的厚度方向延伸，多个柱区在漂移区内并排且间隔设置；外延层，形成在漂移区的上表面；超结IGBT的中心部分作为元胞区，外围部分作为终端区；所述外延层位于元胞区的部分形成有栅极结构；外延层位于终端区的部分设有终端环区，终端环区围绕元胞区呈环状；终端环区的导电类型与外延层的导电类型相反。本申请实施例提供的超结IGBT提高了终端区的承压能力。
本发明授权超结IGBT及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超结IGBT，其特征在于，包括： 漂移区；所述漂移区内形成有柱区，柱区的导电类型与漂移区的导电类型相反；柱区沿漂移区的厚度方向延伸，多个柱区在漂移区内并排且间隔设置； 外延层，形成在漂移区的上表面；超结IGBT的中心部分作为元胞区，外围部分作为终端区；所述外延层位于元胞区的部分形成有栅极结构；外延层位于终端区的部分设有终端环区，终端环区围绕元胞区呈圆角矩形的环状；终端环区的导电类型与外延层的导电类型相反； 承压区，形成在漂移区的下表面；承压区的导电类型与漂移区的导电类型相同，承压区的掺杂浓度小于漂移区的掺杂浓度；承压区的厚度大于15μm，承压区的掺杂浓度小于3E14。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华太电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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