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龙图腾网获悉南通思凯光电有限公司申请的专利半导体封装缺陷自动检测系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411798061.7，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体封装缺陷自动检测系统及方法是由叶小萌设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装缺陷自动检测系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体封装缺陷自动检测系统及方法，涉及半导体封装检测技术领域。包括：根据封装体分布集，提取第d封装体；根据半导体封装显性缺陷检测通道对第d封装体进行多特征显性缺陷检测，获得第d显性缺陷检测结果；对第d封装体进行电学性能缺陷检测，获得第d电学性能缺陷检测结果；对第d封装体进行机化性能缺陷检测分析，获得第d机化性能缺陷检测结果；进行数据融合，生成第d封装体综合缺陷检测结果；对封装体分布集内的各个封装体进行缺陷检测，结合第d封装体综合缺陷检测结果，生成封装体综合缺陷分布集。解决了现有技术中半导体封装缺陷检测不够全面导致检测结果不准确的技术问题，达到了提高检测结果准确性的技术效果。

本发明授权半导体封装缺陷自动检测系统及方法在权利要求书中公布了：1.半导体封装缺陷自动检测系统，其特征在于，所述系统包括： 提取模块，所述提取模块用于根据封装体分布集，提取第d封装体，其中，所述封装体分布集包括目标半导体封装工艺方案对应的多个封装体，其中，d为大于等于1的正整数，d属于D，D为所述多个封装体的总数量； 第一检测模块，所述第一检测模块用于根据半导体封装显性缺陷检测通道对所述第d封装体进行多特征显性缺陷检测，获得第d显性缺陷检测结果； 第二检测模块，所述第二检测模块用于根据所述目标半导体封装工艺方案进行电学性能基准计算，搭建封装体电学性能基准矩阵，并基于所述封装体电学性能基准矩阵对所述第d封装体进行电学性能缺陷检测，获得第d电学性能缺陷检测结果； 第三检测模块，所述第三检测模块用于根据封装机化联合检测端对所述第d封装体进行机化性能缺陷检测分析，获得第d机化性能缺陷检测结果，其中，所述封装机化联合检测端包括封装体化学性能检测端和封装体机械性能检测端； 数据融合模块，所述数据融合模块用于根据所述第d显性缺陷检测结果、所述第d电学性能缺陷检测结果和所述第d机化性能缺陷检测结果进行数据融合，生成第d封装体综合缺陷检测结果； 封装体检测模块，所述封装体检测模块用于根据所述半导体封装显性缺陷检测通道、所述封装体电学性能基准矩阵和所述封装机化联合检测端继续对所述封装体分布集内的各个封装体进行缺陷检测，结合所述第d封装体综合缺陷检测结果，生成封装体综合缺陷分布集。

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