深圳市美浦森半导体有限公司滕渊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411736117.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法是由滕渊;刘坤设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种沟槽栅SiCMOSFET芯片及其制作方法，本发明的沟槽栅SiCMOSFET芯片使用复合型的沟槽栅结构，沟槽底部和侧壁的栅氧化层厚度可以分别控制，增厚电场强度较大位置的沟槽底部栅氧化层，从而提升器件在使用过程中的长期可靠性，侧壁沟槽部分保留较薄的栅氧化层，有助于降低器件的沟道电阻和导通损耗。可见，本发明能够在保证器件具有高可靠性的同时，有效降低沟道电阻和导通损耗。
本发明授权沟槽栅SiC MOSFET芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅SiCMOSFET芯片，其特征在于，元胞区包含沟槽、第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极、第一栅极氧化层及第二栅极氧化层，过渡区包含栅极金属、源极金属及多个接触孔；其中，所述第一多晶硅栅极位于所述沟槽的底部，所述第一栅极氧化层位于所述第一多晶硅栅极的外表面，所述第二多晶硅栅极位于所述沟槽的上部，所述第二栅极氧化层位于所述第二多晶硅栅极的外表面，所述第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度； 所述元胞区的沟槽，在所述过渡区呈两条或多条并联设置； 在所述过渡区，通过两条或者多条沟槽并联的方式，使两条或者多条沟槽内的所述第一多晶硅栅极，通过对应的所述接触孔与源极金属相连接；以及，通过两条或者多条沟槽并联的方式，使两条或者多条沟槽内的所述第二多晶硅栅极，通过对应的所述接触孔与栅极金属相连接；当所述过渡区设置有并联的两条沟槽时，在所述并联的两条沟槽的中间连接部分，水平方向上只有凹角。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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