北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学张朋获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223230339U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422584824.X，技术领域涉及：H01L23/38；该实用新型半导体器件是由张朋;李文源;李学宝;金锐;崔翔;李哲洋;赵志斌;王磊设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：半导体制冷片，具有相对设置的冷端板和热端板；导电金属层，包括在冷端板上间隔设置的第一导电区和第二导电区；第一半导体芯片，设置在第一导电区上并与第一导电区导电连接；第一功率端子，设置在第一导电区上并与第一导电区导电连接；第二功率端子，设置在第二导电区上并与第二导电区导电连接；第一导电连接件，连接在第二导电区和第一半导体芯片的上表面之间，以导通第一半导体芯片和第二功率端子。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的半导体器件中芯片到散热器之间的热阻较大影响散热性能的问题。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体制冷片10，具有相对设置的冷端板11和热端板12； 导电金属层20，包括在所述冷端板11上间隔设置的第一导电区21和第二导电区22； 第一半导体芯片30，设置在所述第一导电区21上并与所述第一导电区21导电连接； 第一功率端子41，设置在所述第一导电区21上并与所述第一导电区21导电连接； 第二功率端子42，设置在所述第二导电区22上并与所述第二导电区22导电连接； 第一导电连接件51，连接在所述第二导电区22和所述第一半导体芯片30的上表面之间，以导通所述第一半导体芯片30和所述第二功率端子42。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院;华北电力大学，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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