芯恩(青岛)集成电路有限公司吴明获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223231508U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422536412.9，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型一种半导体器件是由吴明设计研发完成，并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体器件，该半导体器件包括衬底结构、半导体结构、第一电极及第二电极，其中，衬底结构至少包括依次层叠的第一隔离层、叠层结构及第二隔离层，叠层结构包括N层极板层及N‑1层中间介质层，N层极板层与N‑1层中间介质层依次交替层叠，N为不小于3的整数；半导体结构位于衬底结构的上表面，半导体结构包括M个间隔设置的器件结构，M为不大于N‑1的正整数；M个第一电极和第二电极分别与不同中间介质层上下两侧的一极板层电连接，且第一、二电极分别电连接不同的极板层。本实用新型通过将存储电容设置于基底与器件结构之间，且相邻两存储电容共用电极，提升了器件的集成度，缩小了器件的尺寸。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底结构，至少包括依次层叠的第一隔离层、叠层结构及第二隔离层，所述叠层结构包括N层极板层及N-1层中间介质层，N层所述极板层与N-1层所述中间介质层依次交替层叠，其中，N为不小于3的整数； 半导体结构，位于所述衬底结构的上表面，所述半导体结构包括M个间隔设置的器件结构，其中，M为不大于N-1的正整数； M个第一电极，分别与不同所述中间介质层上下两侧的一所述极板层电连接； M个第二电极，分别与不同所述中间介质层上下两侧的一所述极板层电连接，且各所述第二电极与各所述第一电极分别电连接不同的所述极板层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯恩(青岛)集成电路有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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