华中科技大学陈立学获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223230268U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422535691.7，技术领域涉及：H01H33/664；该实用新型一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头是由陈立学;张新蕾;李颖卓设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头在说明书摘要公布了：本申请提供了一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头，属于真空断路器触头设计领域，包括：具有开槽区域的线圈、触头片和氧化铝填充块；氧化铝填充块填充线圈的开槽区域，氧化铝填充块与线圈固定连接；氧化铝填充块的长度不长于单个开槽区域的长度，高度不高于单个开槽区域的高度；宽度不宽于单个开槽区域的宽度。氧化铝填充块用于使得不同线圈之间具有支撑力，避免不同层线圈之间相互接触后短路，同时不改变导电路径。本申请在不影响触头线圈原有导电回路的前提下，提高触头的机械性能。
本实用新型一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头在权利要求书中公布了：1.一种氧化铝填充式真空断路器纵磁触头，其特征在于，包括：导杆、开槽区域的线圈、触头片和氧化铝填充块； 氧化铝填充块填充线圈的开槽区域，氧化铝填充块与线圈固定连接；氧化铝填充块的长度不长于单个开槽区域的长度，高度不高于单个开槽区域的高度；宽度不宽于单个开槽区域的宽度；导杆位于线圈的内部，且与线圈的首端连接；触头片位于线圈的尾端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励