拓荆科技股份有限公司胡祥明获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223221294U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422510382.4，技术领域涉及：B01F23/10；该实用新型一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备是由胡祥明;孙少东设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备。双进气通道气体混合装置包括：分气块、多个进气腔道、多个混合腔道、多个一级分气腔道和多个二级分气腔道；分气块呈盘状设置；多个进气腔道相对设置于所述分气块上层内部且用于多种气体进入；多个混合腔道相对设置于所述分气块上层内部，每一混合腔道与所有进气腔道连通；多个一级分气腔道相对设置于所述分气块下层内部，且与多个混合腔道一一对应连通；多个二级分气腔道相对设置于所述分气块下层内部，一级分气腔道至少与两个二级分气腔道连通。本实用新型的多种气体通过一次混合和两次混匀，以提高多种气体的混合均匀性，从而提高薄膜的整体性能。
本实用新型一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备在权利要求书中公布了：1.一种双进气通道气体混合装置，其特征在于，包括： 分气块，呈盘状设置； 多个进气腔道，相对设置于所述分气块上层内部且用于多种气体进入； 多个混合腔道，相对设置于所述分气块上层内部，每一混合腔道与所有进气腔道连通； 多个一级分气腔道，相对设置于所述分气块下层内部，且与多个混合腔道一一对应连通； 多个二级分气腔道，相对设置于所述分气块下层内部，一级分气腔道至少与两个二级分气腔道连通。
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