淄博汉林半导体有限公司迟晓丽获国家专利权
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龙图腾网获悉淄博汉林半导体有限公司申请的专利一种漏极共用的双SGT MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223231511U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422428119.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种漏极共用的双SGT MOSFET器件是由迟晓丽;关仕汉;薛涛设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种漏极共用的双SGT MOSFET器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种漏极共用的双SGTMOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括衬底、外延层，外延层的顶部表面并排开设有若干沟槽，沟槽的底部侧壁及内底部均设置有屏蔽栅氧化层，沟槽底部侧壁上的屏蔽栅氧化层内填充第一多晶硅；第一多晶硅的顶端沉积有沟槽中部屏蔽氧化层，沟槽中部屏蔽氧化层的顶端且位于沟槽的侧壁上设置有栅极氧化层，位于栅极氧化层内填充有第二多晶硅；相邻两个沟槽之间且自上而下形成源区及基区，源区及基区内形成连通的第一顶层接触孔，第一顶层接触孔内通过填充导电材料形成MOS结构，MOS结构的表面形成连接层；沟槽内中部竖直设置有沟槽中部绝缘柱。本实用新型大大降低了导通电阻。
本实用新型一种漏极共用的双SGT MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种漏极共用的双SGTMOSFET器件，包括衬底1，该衬底1的顶端设置有外延层2，其特征在于，所述外延层2的顶部表面并排开设有若干沟槽3，所述沟槽3的底部侧壁及内底部均设置有屏蔽栅氧化层4，所述沟槽3底部侧壁上的所述屏蔽栅氧化层4内填充第一多晶硅5； 所述第一多晶硅5的顶端沉积有沟槽中部屏蔽氧化层8，所述沟槽中部屏蔽氧化层8的顶端且位于所述沟槽3的侧壁上设置有栅极氧化层9，位于所述栅极氧化层9内填充有第二多晶硅10； 相邻两个所述沟槽3之间且自上而下形成源区15及基区16，所述源区15及所述基区16内形成连通的第一顶层接触孔18，所述第一顶层接触孔18内通过填充导电材料形成MOS结构，所述MOS结构的表面形成连接层； 所述沟槽3内中部竖直设置有沟槽中部绝缘柱14。
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