深圳市三阶微控实业有限公司伍先炜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市三阶微控实业有限公司申请的专利一种适用于不导电定子的陶瓷片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223231537U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422435940.5，技术领域涉及：H10N30/853；该实用新型一种适用于不导电定子的陶瓷片结构是由伍先炜;徐位光;刘新生设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于不导电定子的陶瓷片结构在说明书摘要公布了：本实用新型适用于压电陶瓷晶片技术领域，提供了一种适用于不导电定子的陶瓷片结构，包括一个压电晶片，压电晶片具有一正面和一反面，正面为压电晶片的压电层，反面为压电晶片的非驱动作用区，正面上设有至少两个不同的相，每个相在正面均设有独立的负极，每一负极通过导电胶从正面上翻至反面，负极的一端与压电晶片的压电层接触，另一端则通过导电胶布置在非驱动作用区，以接地分开每一相；通过在压电晶片的正面设置不同的相，并为每个相设置独立的负极，优化了结构设计，提高了压电晶片的功能性和效率，每个负极通过导电胶从正面翻至反面，并接地分开每一相，实现了电气隔离，避免了不同相之间的电气干扰，能实现对不共地、非导电定子的驱动。
本实用新型一种适用于不导电定子的陶瓷片结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于不导电定子的陶瓷片结构，其特征在于：包括一个压电晶片1，所述压电晶片1具有一正面和一反面，所述正面为所述压电晶片1的压电层，所述反面为所述压电晶片1的非驱动作用区，所述正面上设有至少两个不同的相，每个相在所述正面均设有独立的负极2，每一所述负极2通过导电胶从所述正面上翻至所述反面，所述负极2的一端与所述压电晶片1的压电层接触，另一端则通过导电胶布置在非驱动作用区，以接地分开每一相。
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