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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种三维存储器制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383447.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种三维存储器制备工艺是由童浩;汪宾浩;郑盼盼;缪向水设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维存储器制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器制备工艺，包括：在三维存储器基片上形成第一硬掩模层，在第一硬掩模层上成第一网状掩膜层，其网线宽为a，网格宽为b；以第一网状掩膜层为掩膜对第一硬掩模层各向异性刻蚀，形成圆形通孔阵列，以第一硬掩模层为掩膜对三维存储器基片刻蚀，形成圆形通孔阵列；在三维存储器基片上形成第四硬掩模层，在第四硬掩模层上方形成环形圆筒阵列，任意相邻的四个环形圆筒的筒口圆心连线构成菱形，其高为e；沉积第三填充层，通过平坦化技术使环形圆筒阵列的顶端暴露，选择性去除环形圆筒阵列，以剩余的第三填充层为掩膜对第四硬掩模层刻蚀，形成环形凹槽阵列，菱形的高e＝a+b。本发明实现制备尺寸更小的存储器。

本发明授权一种三维存储器制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器制备工艺，其特征在于，包括： 在三维存储器基片上形成第一硬掩模层，在所述第一硬掩模层上方形成第一网状掩膜层，其中所述第一网状掩膜层的网线宽为a，网格宽为b； 以所述第一网状掩膜层为掩膜，对所述第一硬掩模层进行各向异性刻蚀，在所述第一硬掩模层中形成圆形通孔阵列，以具有圆形通孔阵列的所述第一硬掩模层为掩膜，对所述三维存储器基片进行刻蚀，在所述三维存储器基片中形成圆形通孔阵列； 在所述三维存储器基片上形成第四硬掩模层，在所述第四硬掩模层上方形成环形圆筒阵列，所述环形圆筒阵列中每个环形圆筒的环宽为c，内径为d，任意相邻的四个环形圆筒的筒口圆心连线构成菱形，所述菱形的高为e； 在上一步骤形成的基片表面沉积第三填充层，并通过平坦化技术使此时基片表面平整，以将所述环形圆筒阵列的顶端暴露，选择性去除所述环形圆筒阵列，以剩余的所述第三填充层为掩膜对所述第四硬掩模层进行刻蚀，在所述第四硬掩模层中形成环形凹槽阵列； 以具有环形凹槽阵列的所述第四硬掩模层为掩膜，对所述三维存储器基片进行刻蚀，在所述三维存储器基片中形成环形凹槽阵列； 其中，所述环形圆筒阵列中的环形圆筒与所述第一网状掩膜层中的网格一一对应，且对应的环形圆筒的横截面圆心与网格的中心点在竖直方向上对准，制备的每个存储单元的圆形通孔与环形凹槽共圆心，且所述菱形的高e=a+b。

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