阿维塔科技(重庆)有限公司李盛义获国家专利权
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龙图腾网获悉阿维塔科技(重庆)有限公司申请的专利LED显示芯片及LED显示模组获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223231530U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422341735.2,技术领域涉及:H10H29/30;该实用新型LED显示芯片及LED显示模组是由李盛义;仝洪伟设计研发完成,并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED显示芯片及LED显示模组在说明书摘要公布了:本申请实施例涉及显示器件设计制造技术领域,公开了一种LED显示芯片及LED显示模组。本申请实施例提供的LED显示芯片,包括:LED结构层,包括衬底及依次层叠于衬底上的第一掺杂半导体层、发光层及第二掺杂半导体层;驱动结构层,包括有源层、第一电极、第二电极、第三电极及第四电极,有源层设置在LED结构层上,第一电极与有源层的漏区连接,第二电极的一端与有源层的源区连接、第二电极的另一端与第二掺杂半导体层连接,第三电极与第一掺杂半导体层连接,第四电极连接于有源层的沟道区。LED显示芯片上集成了驱动电路,驱动方式更加简单,可以简化LED显示模组的结构,节省LED显示模组的成本。
本实用新型LED显示芯片及LED显示模组在权利要求书中公布了:1.一种LED显示芯片,其特征在于,包括: LED结构层110,包括衬底111及依次层叠于所述衬底111上的第一掺杂半导体层1121、发光层1122及第二掺杂半导体层1123; 驱动结构层120,包括有源层121、第一电极122、第二电极123、第三电极124及第四电极125,所述有源层121设置在所述LED结构层110上,所述第一电极122与所述有源层121的漏区连接,所述第二电极123的一端与所述有源层121的源区连接、所述第二电极123的另一端与所述第二掺杂半导体层1123连接,所述第三电极124与所述第一掺杂半导体层1121连接,所述第四电极125连接于所述有源层121的沟道区。
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