泰晶科技股份有限公司刘明帆获国家专利权
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龙图腾网获悉泰晶科技股份有限公司申请的专利高基频MESA晶片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223231149U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422308079.6,技术领域涉及:H03H9/125;该实用新型高基频MESA晶片是由刘明帆;张小伟;万杨设计研发完成,并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本高基频MESA晶片在说明书摘要公布了:本申请涉及MESA晶片的技术领域,具体涉及一种高基频MESA晶片,包括片体,其外周呈矩形,所述片体包括两侧面刻蚀凹陷形成的振动部、与所述振动部一体设置的固定部,其中,定义所述振动部距离所述固定部自由端的距离为L1,所述振动部距离所述固定部点胶端的距离为L2,1<L1L2≤1.3;一对电极,每一电极包括分设于所述振动部的两相对侧面的激励电极、与所述激励电极连接并引出至所述固定部点胶端的引出电极。本申请具有在不增加制备难度的基础上,有效降低250MHz及以上的高基频石英晶片的电阻,以改善晶片的性能参数的效果。
本实用新型高基频MESA晶片在权利要求书中公布了:1.高基频MESA晶片,其特征在于,包括: 片体,其外周呈矩形,所述片体包括两侧面刻蚀凹陷形成的振动部、与所述振动部一体设置的固定部,其中,定义所述振动部距离所述固定部自由端的距离为L1,所述振动部距离所述固定部点胶端的距离为L2,1<L1L2≤1.3; 一对电极,每一电极包括分设于所述振动部的两相对侧面的激励电极、与所述激励电极连接并引出至所述固定部点胶端的引出电极。
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