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龙图腾网获悉常州瑞华新能源科技有限公司;华中科技大学申请的专利一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223230345U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422254955.1，技术领域涉及：H01L25/07；该实用新型一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构是由刘彤;梁琳;杨炜俊;严宇浩设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及电力电子器件技术领域，特别是一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构，上陶瓷基板通过DC+铜块与下陶瓷基板连接，上陶瓷基板通过栅极铜块与下陶瓷基板连接，上陶瓷基板与下陶瓷基板内侧分别安装有两块铜层，铜层通过焊料层与金属垫片连接，金属垫片通过焊料层与碳化硅功率芯片连接，碳化硅功率芯片通过键合线与铜层上的铜块连接，铜块分别通过键合线连接有DC+铜块、DC‑铜块、AC铜块、上开尔文源极铜块、下开尔文源极铜块，碳化硅功率芯片通过键合线与栅极电阻连接，栅极电阻通过键合线与栅极铜块连接，栅极铜块与栅极功率端子连接。本实用新型中碳化硅功率芯片为对称分布，可大幅降低整体回路寄生电感，提高模块整体的可靠性。

本实用新型一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种对称的多芯片并联碳化硅功率模块封装结构，其特征是：包括上陶瓷基板（1）与下陶瓷基板（2），所述上陶瓷基板（1）左端通过DC+铜块（3）与下陶瓷基板（2）连接，所述上陶瓷基板（1）右端通过栅极铜块（21）与下陶瓷基板（2）连接，所述上陶瓷基板（1）与下陶瓷基板（2）内侧分别安装有两块铜层（10），所述铜层（10）通过焊料层与金属垫片（12）连接，所述金属垫片（12）通过焊料层与碳化硅功率芯片（14）连接，所述碳化硅功率芯片（14）通过键合线与铜层（10）上的铜块（15）连接，所述铜块（15）分别通过键合线连接有DC+铜块（3）、DC-铜块（16）、AC铜块（17）、上开尔文源极铜块（18）、下开尔文源极铜块（19），所述DC+铜块（3）、DC-铜块（16）、AC铜块（17）、上开尔文源极铜块（18）、下开尔文源极铜块（19）分别连接有DC+功率端子（4）、DC-功率端子（5）、AC功率端子（6）、上开尔文源极功率端子（8）、下开尔文源极功率端子（7），所述碳化硅功率芯片（14）通过键合线与栅极电阻（20）连接，所述栅极电阻（20）通过键合线与栅极铜块（21）连接，所述栅极铜块（21）与栅极功率端子（9）连接。

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