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苏州晶方半导体科技股份有限公司周悦获国家专利权

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龙图腾网获悉苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利封装结构及芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223230341U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422131227.1,技术领域涉及:H01L23/48;该实用新型封装结构及芯片是由周悦;王鑫琴;李俊杰;谢国梁设计研发完成,并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

封装结构及芯片在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种封装结构及芯片,所述封装结构包括衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,衬底中形成有通孔;焊垫,位于衬底的第二表面上且覆盖通孔;第一绝缘层,覆盖于衬底的第一表面、通孔的侧壁及焊垫的表面;第二绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上;第三绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上,第三绝缘层与第二绝缘层间隔设置;金属层,覆盖于第二绝缘层及第三绝缘层之上,且与焊垫相接触。本实用新型通过在通孔侧壁上方的第一绝缘层上间隔设置第二绝缘层和第三绝缘层,减小了整段式绝缘介质层对金属层与焊垫接触位置的应力作用,有效保护了应力集中位置的第一绝缘层,提高了封装结构的可靠性。

本实用新型封装结构及芯片在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括: 衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述衬底中形成有贯穿第一表面和第二表面的通孔; 焊垫,位于衬底的第二表面上且覆盖所述通孔; 第一绝缘层,覆盖于衬底的全部或部分第一表面、通孔的侧壁及焊垫的部分表面; 第二绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上且延伸至衬底的第一表面上方的第一绝缘层之上; 第三绝缘层,覆盖于通孔的部分侧壁上方的第一绝缘层之上且延伸至焊垫上方的第一绝缘层之上,所述第三绝缘层与第二绝缘层于通孔侧壁上方的第一绝缘层之上间隔设置; 金属层,覆盖于全部或部分第二绝缘层及全部或部分第三绝缘层之上,所述金属层与第二绝缘层和第三绝缘层间隔处的第一绝缘层相接触,且所述金属层与通孔下方的焊垫相接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶方半导体科技股份有限公司,其通讯地址为:215000 江苏省苏州市工业园区汀兰巷29号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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