奥通碳素(内江)科技有限公司邓海涛获国家专利权
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龙图腾网获悉奥通碳素(内江)科技有限公司申请的专利一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119059517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411193365.0，技术领域涉及：C01B32/205；该发明授权一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法是由邓海涛;杨华丰;余滔;梁斌;徐厚海设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法，属于石墨生产技术领域；包括S1炉内准备；S2装炉，S201装下层产品：将待加工产品沿艾奇逊炉的长度方向等距装载，其后在下层产品组间距和层间距内铺设下层电阻料；S202装上层产品：装载位置与下层产品一一对应，其后在上层产品组间距和层间距内铺设电阻率小于下层电阻料的上层电阻料；S3送电；S4送气；S5冷却。本发明通过对艾奇逊炉生产等静压石墨中的各步工艺进行改进，以及对相应工艺参数进行优化，能够有效提高产品纯度，增加均匀性，提高产品性能，降低成本、减少报废率等优点，能够达到半导体用等静压石墨的生产要求。
本发明授权一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高半导体用石墨产品纯度及均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1炉内准备 清理炉底杂物，从下至上依次铺设炭黑、保温料和电阻料A，按炉底通气孔位置在炉墙两侧交替装载通气管； S2装炉 S201装下层产品：将待加工产品沿艾奇逊炉的长度方向等距装载，其后在下层产品组间距和层间距内铺设下层电阻料； S202装上层产品：装载位置与下层产品一一对应，其后在上层产品组间距和层间距内铺设电阻率小于下层电阻料的上层电阻料； S3送电 装炉完成后开始送电，其中，在1800℃内，以6℃-10℃h升温速率运行；在1800℃-目标温度内，以12℃-18℃h升温速率运行；运行至目标温度后保温24h； S4送气 在高温阶段通过炉底通气管进行送气提纯，根据坯品种类使用不同气体进行提纯； S5冷却 送电送气完毕后，先将炉顶杂质料抓出，其后用重物将表面物料压实，待自然冷却后出炉。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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