赵依军获国家专利权
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龙图腾网获悉赵依军申请的专利一种双NMOS管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223231512U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421929053.7，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型一种双NMOS管是由赵依军设计研发完成，并于2024-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双NMOS管在说明书摘要公布了：一种双NMOS管，包括：金属框架；第一晶粒，其正面具有第一栅极和第一源极、背面具有第一漏极，其装设在该金属框架上，正面朝下；第二晶粒，其正面具有第二栅极和第二源极、背面具有第二漏极，其装设在该第一晶粒上，背面朝下；金属片，其装设在该第二晶粒上的正面，用于将该第二栅极和第二源极与该金属框架上的对应引脚短接；其中，该第二漏极与该第一漏极短接；该金属框架设有与该第一栅极和第一源极对应短接的第一栅极引脚和第一源极引脚，以及与该第二栅极和第二源极对应短接的第二栅极引脚和第二源极引脚。有利于提升功率密度，很好地满足电源管理的实际应用。
本实用新型一种双NMOS管在权利要求书中公布了：1.一种双NMOS管，其特征在于，包括： 金属框架； 第一晶粒，其正面具有第一栅极和第一源极、背面具有第一漏极，其装设在该金属框架上，正面朝下； 第二晶粒，其正面具有第二栅极和第二源极、背面具有第二漏极，其装设在该第一晶粒上，背面朝下； 金属片，其装设在该第二晶粒上的正面，用于将该第二栅极和第二源极与该金属框架上的对应引脚短接； 其中，该第二漏极与该第一漏极短接；该金属框架设有与该第一栅极和第一源极对应短接的第一栅极引脚和第一源极引脚，以及与该第二栅极和第二源极对应短接的第二栅极引脚和第二源极引脚。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赵依军，其通讯地址为：中国香港沙田火炭禾盛街11号中建电讯大厦22楼02室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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