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龙图腾网获悉深圳市赢合智慧科技有限公司申请的专利MOS晶体管组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223231509U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421662885.7，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型MOS晶体管组件是由周伟;郑轩志设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS晶体管组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种MOS晶体管组件，包括：位于硅片下表面的N型掺杂漏极层和位于硅片上部的P型掺杂基极区，P型掺杂基极区和N型外延区内间隔地设置有至少2个器件单元，此器件单元进一步包括一位于P型掺杂基极区中的沟槽；栅极部进一步包括位于上部的上栅极子部和位于下部的下栅极子部，所述上栅极子部的底部与P型掺杂基极区的底部在同一平面上；相邻器件单元之间的P型掺杂基极区区域具有一P型离子注入部，此P型离子注入部上端与绝缘介质层接触，下端延伸至N型外延区内。本发明MOS晶体管组件在反向偏置情况下既有利于进一步缩小器件尺寸，也降了P型掺杂基极区和N型外延区接触面的漏电流，从而保证器件的寿命和可靠性。

本实用新型MOS晶体管组件在权利要求书中公布了：1.一种MOS晶体管组件，其特征在于：包括：位于硅片（1）下表面的N型掺杂漏极层（2）和位于硅片（1）上部的P型掺杂基极区（3），所述硅片（1）中位于P型掺杂基极区（3）与N型掺杂漏极层（2）之间的区域为N型外延区（4）， 所述P型掺杂基极区（3）和N型外延区（4）内间隔地设置有至少2个器件单元（12），此器件单元（12）进一步包括一位于P型掺杂基极区（3）中的沟槽（5），此沟槽（5）延伸至N型外延区（4）内部，位于沟槽（5）周边的P型掺杂基极区（3）上部具有一N型源极区（6），所述硅片（1）与N型掺杂漏极层（2）相背的表面具有一绝缘介质层（7），此绝缘介质层（7）覆盖于P型掺杂基极区（3）表面和沟槽（5）上方，所述沟槽（5）内具有一栅极部（8），此栅极部（8）与沟槽（5）内壁之间具有一二氧化硅层（9）； 所述栅极部（8）进一步包括位于上部的上栅极子部（81）和位于下部的下栅极子部（82），所述上栅极子部（81）的底部与P型掺杂基极区（3）的底部在同一平面上，所述下栅极子部（82）与沟槽（5）内壁之间二氧化硅层（9）的厚度从上往下逐渐增厚，所述下栅极子部（82）与沟槽（5）底部之间二氧化硅层（9）的厚度大于栅极部（8）与沟槽（5）侧壁的厚度； 相邻器件单元（12）之间的P型掺杂基极区（3）区域具有一P型离子注入部（13），此P型离子注入部（13）上端与绝缘介质层（7）接触，下端延伸至N型外延区（4）内，一上金属层（10）位于绝缘介质层（7）上方并与N型源极区（6）连接，一下金属层（11）位于N型掺杂漏极层（2）与硅片（1）相背的表面。

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