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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118756121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410758888.9，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台是由张欢欢;张进成;张鹏飞;任泽阳;张金风设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台，主要解决传统基台直角过渡边缘导致周围电场畸变，影响化学气相沉积过程，导致结晶效果不理想的问题。方案包括：基台形状为扁柱体，其边缘外形由三阶贝塞尔曲线形成，扁柱体纵切面底部为两个直角、上部为三阶贝塞尔曲线形成的两个圆弧角；所述曲线由四个控制点生成，以MPCVD装置底部中心为原点，平行于基台底面的轴线为横轴，其垂直方向为纵轴，构建二维柱坐标系；通过调整四个控制点在坐标系中的位置坐标定义曲线形状。本发明能够消除电场畸变现象，从而增强基台上方电场强度、增大等离子体密度，有效提升金刚石等待制备材料的沉积速率。

本发明授权基于三阶贝塞尔曲线的新型MPCVD装置基台在权利要求书中公布了：1.一种基于三阶贝塞尔曲线的新型微波等离子体化学气相沉积MPCVD装置基台，放置于MPCVD装置谐振腔底部，且可拆卸；其特征在于：所述基台形状为扁柱体，其边缘外形由三阶贝塞尔曲线形成； 所述三阶贝塞尔曲线由四个控制点生成，以MPCVD装置底部中心为原点，平行于基台底面的轴线为横轴，其垂直方向为纵轴，构建二维柱坐标系；通过调整四个控制点在坐标系中的位置坐标定义曲线形状；所述四个控制点，分别记为P0、P1、P2和P3，将所述三阶贝塞尔曲线表示如下： Bt＝1-t3[P0r,P0z]+31-t2t[P1r,P1z]+31-tt2[P2r,P2z]+t3[P3r,P3z]， 其中，t∈[0,1]，Bt是曲线上的点的坐标，[Pir,Piz]表示第i个控制点在柱坐标系下的坐标，i＝0,1,2,3；通过调整四个控制点的坐标改变基台边缘曲线的形状； 所述控制点在柱坐标系下的坐标，按照如下数据进行设置：P0r＝19.15mm、P0z＝424.4mm、P1r＝22mm、P1z＝424.2mm、P2r＝25mm、P2z＝423.4mm、 P3r＝25.4mm、P3z＝422.6mm； 所述扁柱体的纵切面底部为两个直角、上部为三阶贝塞尔曲线形成的两个圆弧角；所述扁柱体的底面半径为25.4cm、最高点高度为4.2cm。

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