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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117787055B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311828869.0，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统是由张岩;李阳;吕春林;薛少鹏;刘进军;邱麟设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统，方法包括：S1：构建初始安全运行域；S2：构建电力半导体器件老化程度量化评估模型，获得基于实际运行数据的累积损伤增长量；S3：建立芯片‑外壳间热阻与累积损伤之间的关系；S4：在电力半导体器件老化程度量化评估模型的基础上建立老化敏感参数与电力半导体器件安全运行边界的量化关系，得到安全运行边界退化模型，求解得到退化安全边界；S5：根据所述退化安全边界和初始安全运行域得到的不退化安全边界，构建电力半导体器件寿命周期安全运行域。本发明解决了现有技术中存在的缺乏寿命周期安全运行域量化方法的问题，具有模型结果准确、建模步骤高效、应用场景广泛等优势。

本发明授权一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电力半导体器件寿命周期安全运行域标定方法，其特征在于，包括： S1：根据电力半导体器件的初始参数，构建初始安全运行域； S2：根据电力半导体器件的实际运行工况，构建电力半导体器件老化程度量化评估模型，当累积损伤达到老化失效标准后，获得基于实际运行数据的累积损伤增长量； S3：根据初始参数和实际运行工况描述老化敏感参数随老化程度退化的过程，建立芯片-外壳间热阻与累积损伤之间的关系； S4：根据实际运行数据的累积损伤增长量、芯片-外壳间热阻与累积损伤之间的关系，在电力半导体器件老化程度量化评估模型的基础上建立老化敏感参数与电力半导体器件安全运行边界的量化关系，得到安全运行边界退化模型，求解得到退化安全边界； S5：根据所述退化安全边界和初始安全运行域得到的不退化安全边界，构建寿命周期安全运行域； 所述的初始安全运行域表示为采用集电极-发射极电压、集电极电流和外壳温度三个参数刻画的三维空间中，由四个边界组成的封闭区域，其中电压电流两个维度采用对数坐标表示；所述初始安全运行域的四个边界，分别为最大电压边界、最大电流边界、最大功率损耗边界和壳温范围边界，表示为所述三维空间的对应平面；所述初始安全运行域中，在所有边界以内的点所对应的运行状态为安全运行状态，在其中任一边界以外的点所对应的运行状态为导致电力半导体器件突发失效的运行状态； 构建电力半导体器件老化程度量化评估模型，包括： S21，输入电力半导体器件的实际运行工况数据，包括一段任务周期内的导通电流、阻断电压和外壳温度； S22，构建电力半导体器件的功率损耗和结温耦合迭代模型，计算电力半导体器件一段任务周期内的功率损耗和结温； S23，提取电力半导体器件的热应力统计信息，采用雨流计数法统计任务周期内电力半导体器件的结温循环次数n，以及每次结温循环工况，包括结温循环的幅度ΔT j和平均值T jm； S24，通过加速老化实验构建电力半导体器件的寿命模型，建立失效前结温循环次数和由ΔT j、T jm定义的各固定结温循环工况之间的关系； S25，构建电力半导体器件的累积损伤计算模型，计算电力半导体器件一段任务周期内的累积损伤，为任务周期内每个结温循环所造成损伤的线性叠加； S26，重复上述S21至S25，直至电力半导体器件的累积损伤达到预设值；构建得到电力半导体器件老化程度量化评估模型。

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