拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司宋宇获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种晶圆托盘及薄膜沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118571823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311667263.3，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种晶圆托盘及薄膜沉积装置是由宋宇;阚金卓;柳雪设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆托盘及薄膜沉积装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆托盘，以及一种薄膜沉积装置。所述晶圆托盘包括：平面基板，设于所述晶圆托盘的上表面，其上设有第一抽气孔及连通所述第一抽气孔的沟槽，用于在高气压工况下真空吸附位于所述平面基板之上的晶圆，以抑制其背面形成薄膜；以及电极网，设于所述平面基板之下，用于在低气压工况下静电吸附所述晶圆，以抑制和或消除所述晶圆的翘曲。
本发明授权一种晶圆托盘及薄膜沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆托盘，其特征在于，包括： 平面基板，设于所述晶圆托盘的上表面，其上设有第一抽气孔及连通所述第一抽气孔的沟槽，用于在高气压工况下真空吸附位于所述平面基板之上的晶圆，以抑制其背面形成薄膜；以及 电极网，设于所述平面基板之下，用于在低气压工况下静电吸附所述晶圆，以抑制和或消除所述晶圆的翘曲，其中，所述电极网包括保持轴对称的至少一个第一区域及至少一个第二区域，所述电极网上开设2N+1个顶针过孔和一个第二抽气孔，所述顶针过孔与所述第二抽气孔具有相同的面积，至少一个第一区域中设有N+1个所述顶针过孔，且所述至少一个第二区域中设有所述第二抽气孔及N个所述顶针过孔，以向所述晶圆的各位置提供均匀的静电吸附力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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