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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种单晶硅精抛液及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116948532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310743059.9，技术领域涉及：C09G1/02；该发明授权一种单晶硅精抛液及制备方法是由贺兆波;罗月;叶瑞;张庭;邹哲敏;姜飞;冯凯;崔会东;王书萍;严凡设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单晶硅精抛液及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550nmmin，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。

本发明授权一种单晶硅精抛液及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅精抛液，其特征在于，含有咪唑改性的硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、pH调节剂和去离子水，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.011%～1%的表面活性剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量为去离子水；其中，所述的表面活性剂包括渗透剂和成膜剂，渗透剂含量为0.01%～0.5%，成膜剂含量为0.001%～0.5%，所述的咪唑改性的硅溶胶是通过咪唑基硅烷偶联剂水解，然后再接枝到纳米二氧化硅表面所得，咪唑基硅烷偶联剂为N-咪唑丙基三甲氧基硅烷，N-[3-三乙氧硅烷基丙基]-4,5-双氢咪唑中的一种或几种，所述的渗透剂选自仲辛醇聚氧乙烯醚、月桂醇聚氧乙烯醚、异辛醇聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、异辛醇聚氧乙烯醚单磷酸酯、月桂醇磷酸酯、异丙醇酰胺DF-21中的一种或几种；所述的成膜剂选自羟乙基纤维素、羟丙基甲基纤维素、瓜尔胶、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇-200、聚乙二醇-400、聚乙二醇-800、聚乙烯醇124、聚乙烯醇17-88中的一种或几种。

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