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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利高动态范围CMOS图像传感器像素获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117293150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310743019.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权高动态范围CMOS图像传感器像素是由崔雲;杜一飞设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本高动态范围CMOS图像传感器像素在说明书摘要公布了：本申请涉及具有用于减小图像拖尾的反向偏压金属‑绝缘体‑金属横向溢出积分电容器LOFIC的高动态范围CMOS图像传感器像素。一种像素电路包含：转移晶体管，其耦合于光电二极管与浮动扩散部之间以将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部。LOFIC包含第一金属电极与第二金属电极之间的绝缘区，第二金属电极耦合到第一复位晶体管且选择性地耦合到浮动扩散部。第二复位晶体管及偏压电压源耦合到第一金属电极。在空闲周期期间，第一复位晶体管经配置以接通，第二复位晶体管经配置以关断，且偏压电压源经配置以将第一偏压电压提供到第一金属电极以将LOFIC反向偏压。第一偏压电压小于从复位电压源提供的复位电压。

本发明授权高动态范围CMOS图像传感器像素在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其包括： 光电二极管，其经配置以响应于入射光光生图像电荷； 浮动扩散部，其经耦合以从所述光电二极管接收所述图像电荷； 转移晶体管，其耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之间以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部； 第一复位晶体管，其耦合于复位电压源与所述浮动扩散部之间，其中所述第一复位晶体管经配置以响应于第一复位控制信号进行切换； 横向溢出积分电容器LOFIC，其包含安置于第一金属电极与第二金属电极之间的绝缘区，其中所述第二金属电极耦合到所述第一复位晶体管且选择性地耦合到所述浮动扩散部； 第二复位晶体管，其耦合于所述复位电压源与所述第一金属电极之间，其中所述第二复位晶体管经配置以响应于第二复位控制信号进行切换；及 偏压电压源，其耦合到所述第一金属电极，其中在空闲周期期间，所述第一复位晶体管经配置以接通，所述第二复位晶体管经配置以关断，且所述偏压电压源经配置以将第一偏压电压提供到所述第一金属电极以将所述LOFIC反向偏压，其中所述第一偏压电压小于从所述复位电压源提供的复位电压。

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