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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氧化镓增强型器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116705616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310692146.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种氧化镓增强型器件及其制作方法是由袁俊;徐少东;彭若诗;郭飞;王宽;魏强民;黄俊;杨冰;吴畅设计研发完成，并于2023-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓增强型器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓增强型器件及其制作方法，首先通过外延生长的方式，在氧化镓衬底上依次生长N型氧化镓外延层和P型氧化镓外延层；然后通过光刻的方式，定义电流导通层的长度，接着通过自对准的方式形成源极和沟道长度，随后通过离子注入的方式形成偏置区，最后在器件上表面和下表面分别沉积金属并回火形成欧姆接触，再源极、漏极金属加厚分别形成接触电极，最终构成平面氧化镓增强型器件。本发明解决了氧化镓半导体中无法通过离子注入形成有效P型掺杂而形成P‑well制作MOSFET的技术难题。

本发明授权一种氧化镓增强型器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓增强型器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在氧化镓衬底上依次生长N型氧化镓外延层和P型氧化镓外延层； S2.在外延层表面涂抹光阻，光刻形成导通层的注入窗口，离子注入Si元素形成导通层，导通层底部与N型氧化镓外延层接触，注入完成后，去除光阻； S3.在外延层表面涂抹光阻并图形化，形成源极注入区的窗口，离子注入Si元素形成源极注入区，源极注入区的深度大于导通层顶部离外延层表面的距离，导通层上方有部分源极注入区；注入完成后，去除光阻； S4.在外延层表面涂抹光阻并图形化，在源极注入区上方形成偏置区的注入窗口，离子注入N或者Mg元素形成偏置区，注入完成后，去除光阻；然后在900～1200℃的氩气氛围中激活退火30～60min； S5.在外延层表面依次沉积Al2O3层和多晶硅，然后在多晶硅表面涂抹光阻并图形化，刻蚀掉无光阻保护区的多晶硅和Al2O3层形成栅极，刻蚀完成后，去除光阻； S6.在外延层表面沉积欧姆接触金属，在衬底背面蒸镀欧姆金属，并在450～600℃的氮气氛围下退火1～5min，分别形成第一欧姆接触层和第二欧姆接触层； S7.在栅极表面沉积钝化层； S8.在器件上表面和下表面分别沉积金属，在上表面形成源极，在下表面形成漏极。

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