北京化工大学林彦军获国家专利权
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龙图腾网获悉北京化工大学申请的专利一种含羟基空位的层状吸附剂及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116747830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310537311.0，技术领域涉及：B01J20/02；该发明授权一种含羟基空位的层状吸附剂及其制备方法是由林彦军;李洺瑜;李凯涛设计研发完成，并于2023-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含羟基空位的层状吸附剂及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含羟基空位的层状吸附剂及其制备方法。该方法是将三元水滑石前体分散到水中，加酸液刻蚀，刻蚀完成后离心洗涤至中性，干燥即得含羟基空位的层状吸附剂。本发明通过引入四价金属离子在水滑石层板产生羟基空位，然后使用酸液刻蚀进一步增加羟基空位与吸附活性位点数量。通过理论计算表明增加水滑石层板的羟基空位可以大幅提高和π电子之间的吸附能，因此对VOCs及废水中的芳烃分子具有较高的吸附能力，吸附容量可达70mgg。本发明制备的吸附剂成本低，方法简单，具有良好的应用前景。
本发明授权一种含羟基空位的层状吸附剂及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含羟基空位的层状吸附剂的使用方法，其特征在于，所述使用方法的具体操作为：将含羟基空位的层状吸附剂加入含芳烃的废液中振荡吸附，或含芳烃的废气经含羟基空位的层状吸附剂过滤吸附除去芳烃； 所述的含羟基空位的层状吸附剂的制备方法为：将三元水滑石前体分散到水中，加酸液刻蚀，刻蚀完成后离心洗涤至中性，干燥即得含羟基空位的层状吸附剂； 所述三元水滑石前体的层板金属离子由二价金属离子、三价金属离子和四价金属离子组成。
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