西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院张艺蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院申请的专利一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116594459B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310391702.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器是由张艺蒙;储子元;张玉明;孙乐嘉;汤晓燕;宋庆文设计研发完成，并于2023-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高速轨对轨自偏置电压跟随器，包括：PMOS输入电路、NMOS输入电路、电压钳位及互偏置电路。该高速轨对轨自偏置电压跟随器可以高速精确追踪输入电压的变化产生轨对轨的输出信号，且采用自偏置设计为输入电路提供偏置电压，无需额外输入偏置电压，减小了电压设计的复杂度。本发明可广泛应用在正负压或电压轨道快速变化的单电感双极输出或隔离式栅驱动电路中，为电路提供稳定精确的电压跟随。
本发明授权一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器在权利要求书中公布了：1.一种高速轨对轨自偏置的电压跟随器，其特征在于，包括：PMOS输入电路、NMOS输入电路、电压钳位及互偏置电路；其中，所述PMOS输入电路与所述NMOS输入电路构成轨对轨互补输入；所述电压钳位及互偏置电路为所述PMOS输入电路、所述NMOS输入电路提供自适应偏置电压、钳位输入与输出电压； 所述PMOS输入电路用于在输入电压位于GND至VDD-2VTHP范围时，根据输入电压与输出电压的压差从而产生调节电压，以调节元件的工作参数或状态，使得输入电压与输出电压相等； 所述NMOS输入电路用于在输入电压位于2VTHN至VDD范围时，根据输入电压与输出电压的压差从而产生调节电压，以调节元件的工作参数或状态，使得输入电压与输出电压相等； 所述电压钳位及互偏置电路用于维持输出电压始终与输入电压相等，并通过自身的电流镜分别为所述PMOS输入电路、所述NMOS输入电路提供相应的偏置电压； 其中，VTHP为PMOS管的阈值电压，VTHN为NMOS管的阈值电压。
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