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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种分段温度补偿带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116483155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310272335.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种分段温度补偿带隙基准电路是由黄炳钧;黄少卿设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分段温度补偿带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分段温度补偿带隙基准电路，包括运放、偏置电流源、NMOS晶体管、PMOS晶体管、NPN晶体和电阻；本发明电路利用BJT管基射极电压负温度特性和NMOS管阈值电压负温度特性，通过合理设置分段点，对传统基准温度曲线进行分段温度补偿，实现高阶温度补偿功能，得到更低温度系数的带隙基准输出电压，极大地提高了带隙基准的温度范围。

本发明授权一种分段温度补偿带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种分段温度补偿带隙基准电路，其特征在于，包括运放U1，偏置电流源I1，NMOS晶体管N1、N2、N3、N4，PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7，NPN晶体管Q1、Q2、Q3、Q4，电阻R1、R2、R3； 所述PMOS晶体管P1的源极接电源VCC，栅极由偏置电压Vb1供电，漏极同时与NPN晶体管Q1的集电极、基极以及NPN晶体管Q2的基极互连； 所述NPN晶体管Q1的发射极同时与NPN晶体管Q3的集电极和基极相连； 所述NPN晶体管Q3的发射极接地； 所述NPN晶体管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，集电极同时与PMOS晶体管P2的栅极、漏极以及PMOS晶体管P3的栅极互连； 所述电阻R1的另一端接地； 所述PMOS晶体管P2的源极接电源VCC； 所述PMOS晶体管P3的源极接电源VCC，漏极与PMOS晶体管P4的源极相连； 所述PMOS晶体管P4的栅极和PMOS晶体管P7的栅极均由偏置电压Vb2供电；PMOS晶体管P4的漏极同时与偏置电流源I1的第一输入端、NMOS晶体管N1的源极、NMOS晶体管N3的漏极和栅极、NMOS晶体管N4的栅极互连； 所述偏置电流源I1的第二输入端接地； 所述NMOS晶体管N1的栅极与NMOS晶体管N2的栅极相连，由偏置电压Vb3供电，漏极与NMOS晶体管N2的漏极、PMOS晶体管P5的栅极与漏极、PMOS晶体管P6的栅极互连； 所述NMOS晶体管N3的源极接地； 所述NMOS晶体管N4的漏极与NMOS晶体管N2的源极相连，NMOS晶体管N4的源极接地； 所述PMOS晶体管P5的源极接电源VCC； 所述PMOS晶体管P6的源极接电源VCC，漏极与PMOS晶体管P7的源极相连； 所述PMOS晶体管P7的漏极同时与电阻R2的一端、电阻R3的一端、运放U1的正输入端互连； 所述电阻R2的另一端同时与运放U1的负输入端和输出端互连； 所述电阻R3的另一端同时与NPN晶体管Q4的集电极和基极相连； 所述NPN晶体管Q4的发射极接地。

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