广东中图半导体科技股份有限公司李佩文获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种图形化衬底的二次利用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116072776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310209879.X,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权一种图形化衬底的二次利用方法是由李佩文;肖兆威;卢建航设计研发完成,并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图形化衬底的二次利用方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种图形化衬底的二次利用方法。包括:提供待处理图形化衬底;待处理图形化衬底包括多个凸起结构,凸起结构包括由上至下层叠的第一部和第二部;将待处理图形化衬底置于干法刻蚀设备内,利用主刻蚀气体和辅刻蚀气体的混合气体对待处理图形化衬底进行干法刻蚀,以调节凸起结构呈目标形状;其中,辅刻蚀气体用于调节主刻蚀气体对第一部和或第二部的刻蚀速率。本申请中,通过匹配干法刻蚀工艺中的刻蚀气体组分,合理利用辅刻蚀气体对刻蚀速率的辅助调节作用,采用一步干法刻蚀工艺即可对待处理图形化衬底进行二次处理,较大程度上缩短了图形化衬底的回收周期,有效提升图形化衬底的二次利用效率。
本发明授权一种图形化衬底的二次利用方法在权利要求书中公布了:1.一种图形化衬底的二次利用方法,其特征在于,包括: 提供待处理图形化衬底;所述待处理图形化衬底包括多个凸起结构,所述凸起结构包括由上至下层叠的第一部和第二部,所述第一部和所述第二部的材料不同; 将所述待处理图形化衬底置于干法刻蚀设备内,利用主刻蚀气体和辅刻蚀气体的混合气体对所述待处理图形化衬底进行干法刻蚀,以调节所述凸起结构呈目标形状; 其中,所述辅刻蚀气体用于调节所述主刻蚀气体对第一部和或第二部的刻蚀速率; 利用所述主刻蚀气体和所述辅刻蚀气体的混合气体对所述待处理图形化衬底进行干法刻蚀,包括: 利用所述主刻蚀气体和所述辅刻蚀气体的混合气体对所述待处理图形化衬底进行干法刻蚀,以去除所述凸起结构的所述第一部; 在干法刻蚀过程中,采用所述辅刻蚀气体辅助提升所述主刻蚀气体对所述第一部与所述第二部的刻蚀选择比; 在将所述待处理图形化衬底置于干法刻蚀设备内,利用主刻蚀气体和辅刻蚀气体的混合气体对所述待处理图形化衬底进行干法刻蚀之前,还包括: 按照所述待处理图形化衬底的所述凸起结构的形貌参数和所述凸起结构的材料对所述待处理图形化衬底进行分类;所述形貌参数至少包括所述凸起结构的高度、底部宽度以及所述第一部和所述第二部的高度比;所述凸起结构的材料包括所述第一部的材料和所述第二部的材料; 利用主刻蚀气体和辅刻蚀气体的混合气体对所述待处理图形化衬底进行干法刻蚀,包括: 利用同一干法刻蚀工艺对同类型的所述待处理图形化衬底进行刻蚀;其中,同类型的所述待处理图形化衬底的各项形貌参数的差值均小于预设差值且所述凸起结构材料相同。
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