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龙图腾网获悉温州大学申请的专利一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168924.1，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管是由叶浩;汪鹏君;陈博;施一剑;李刚设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管，包括源区、沟道区、漏区、栅介质层、衬底层、栅氧诱导层、金属层和间隔层，沟道区为无掺杂沟道区，漏区为无掺杂漏区，金属层包括按照从左到右顺序间隔排布的第一金属块、第二金属块和第三金属块，第一金属块和第二金属块之间的间距为12nm，第二金属块和第三金属块之间的间距为10nm，第一金属块为场效应晶体管的主控栅极，第二金属块和第三金属块作为场效应晶体管的两个诱导栅极，间隔层用于隔离将第一金属块与第二金属块和第三金属块隔离；优点是在构建多值逻辑单元时，不需要额外引入无源器件，且对掺杂波动和工艺波动不敏感，能够提高多值逻辑单元性能稳定性。

本发明授权一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有三值逻辑行为的场效应晶体管，包括主体结构、栅介质层和衬底层，所述的主体结构包括从左到右分布在所述的衬底上且依次连接的源区、沟道区以及漏区，其特征在于所述的源区的材料为NiAl，所述的沟道区为无掺杂沟道区，采用砷化铟InAs材料实现，所述的漏区为无掺杂漏区，采用铟铝砷InAlAs材料实现，所述的栅介质层层叠在所述的源区上方且延伸至所述的沟道区上方，所述的场效应晶体管还包括栅氧诱导层、金属层和间隔层，所述的栅氧诱导层层叠在所述的漏区上方，且延伸至所述的沟道区上方与所述的栅介质层连接，所述的金属层包括按照从左到右顺序间隔排布的第一金属块、第二金属块和第三金属块，所述的第一金属块层叠在所述的栅介质层的上方，所述的第二金属块层叠在所述的栅氧诱导层的上方，所述的第三金属块层叠在所述的栅氧诱导层的上方，所述的第一金属块和所述的第二金属块之间的间距为12nm，所述的第二金属块和所述的第三金属块之间的间距为10nm，所述的第一金属块为所述的场效应晶体管的主控栅极，所述的第二金属块和所述的第三金属块作为所述的场效应晶体管的两个诱导栅极，所述的第一金属块用于接入栅级电压，所述的第二金属块和所述的第三金属块一方面用于在所述的沟道区和所述的漏区连接界面处产生隧穿结，另一方面用于在所述的栅氧诱导层诱导下实现所述的沟道区和所述的漏区的静电掺杂，使所述的沟道区和所述的漏区无需化学掺杂，所述的间隔层用于隔离将所述的第一金属块与所述的第二金属块和所述的第三金属块隔离，避免所述的第一金属块接入的栅级电压对所述的第二金属块和所述的第三金属块造成干扰。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人温州大学，其通讯地址为：325000 浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。