北京大学魏贤龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种新型片上微型真空传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115979504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310008831.2，技术领域涉及：G01L21/00；该发明授权一种新型片上微型真空传感器及其制造方法是由魏贤龙;詹芳媛设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型片上微型真空传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种新型片上微型真空传感器及其制造方法，其包括衬底，位于所述衬底表面的由氧化物或氮化物构成的绝缘材料层，部分或全部位于所述绝缘材料层上面的电极对，所述绝缘材料层经施加电压软击穿后内部或表面形成电子隧穿结，电极对与电子隧穿结中的导电区域接触。此片上微型真空传感器的工作原理是，电极对用于驱动电子隧穿结中产生传导电流，在驱动电压作用下，电子隧穿结的宽度随气压而动态变化，通过隧穿结的传导电流随气压增大而衰减，因此可以通过读取不同压强下隧穿结的电阻值来测量压强大小。此片上微型真空传感器压强测量范围为0.1～104Pa，具有宽量程，结构简单，易加工等优点，可实现小空间压强探测。
本发明授权一种新型片上微型真空传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种片上微型真空传感器，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底表面的由氧化物或氮化物构成的绝缘材料层，所述绝缘材料层经施加电压软击穿后可由绝缘态变成导电态； 部分或全部位于所述绝缘材料层上面的电极对，所述电极对的间隙内具有所述绝缘材料层，且被软击穿变成导电态；所述绝缘材料层经所述电极对施加电压软击穿后内部或表面形成电子隧穿结； 所述电极对用于驱动所述电子隧穿结中产生传导电流，通过读取不同压强下所述电子隧穿结的电阻值测量压强大小。
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