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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种微分型电流探测器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115932980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211610128.0，技术领域涉及：G01V3/10；该发明授权一种微分型电流探测器的制作方法是由张信军;罗维熙;呼义翔;尹佳辉;张天洋;孙江;杨实设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微分型电流探测器的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微分型电流探测器的制作方法，应用于前沿时间在ns至百ns量级，幅值在百kA级的脉冲电流探测器设计，解决现有的微分型电流探测器B‑dot研制工作中未考虑结构误差影响，导致B‑dot一致性较差的技术问题。该微分型电流探测器的制作方法，包括以下步骤：1设置B‑dot的电路模型；B‑dot的电路模型包括B‑dot电感L，与B‑dot电感L连接的信号电缆阻抗Z，以及与待测电流Io与B‑dot之间的互感M；2依据B‑dot输出信号幅值uw，约束B‑dot环体尺寸；3依据屏蔽孔内部磁场B的分布，确定B‑dot沿屏蔽孔轴线方向的尺寸、B‑dot环体位置及B‑dot环面角度；4根据B‑dot环体尺寸、B‑dot沿屏蔽孔轴线方向的尺寸、B‑dot环体位置及B‑dot环面角度，制作微分型电流探测器。

本发明授权一种微分型电流探测器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微分型电流探测器的制作方法，其特征在于：包括以下步骤： 1设置B-dot的电路模型； 所述B-dot的电路模型包括B-dot电感L，与B-dot电感L连接的信号电缆3阻抗Z，以及待测电流Io与B-dot之间的互感M； 2依据B-dot输出信号幅值uw，约束B-dot环体尺寸；所述B-dot环体尺寸为等效环面面积nS： 2.1估算B-dot输出信号幅值uw为： uw＝MIotr 式中，tr为待测电流Io前沿； 2.2通过步骤2.1中uw＝MIotr，确定B-dot环体尺寸nS： nS＝MIoBi 式中，Bi为B-dot处磁场，与待测电流Io成正比；n为B-dot环体1的匝数，S为B-dot环面面积； 3依据屏蔽孔2内部磁场B的分布，确定B-dot沿屏蔽孔2轴线方向的尺寸、B-dot环体1位置及B-dot环面角度； 所述确定B-dot沿屏蔽孔2轴线方向的尺寸具体为： A1模拟屏蔽孔2内部磁场B 定义屏蔽孔2内部磁场B沿x轴方向，屏蔽孔2轴线沿y轴方向，坐标原点o位于屏蔽孔2外缘中心处，-y向表示屏蔽孔2内部深度； 计算y轴方向面积元内磁通dΦy 式中：a为y轴方向面积元起点，ly为沿y轴方向面积元总长度，dz为y轴方向面积元宽度，B0为屏蔽孔2表面磁场，k为常数； A2根据y轴方向面积元内磁通dΦy确定B-dot沿y轴方向面积元总长度ly，获得沿屏蔽孔2轴线方向的尺寸； 所述确定B-dot环体1位置范围具体为： B1当z＝0时，根据屏蔽孔2内部磁场B分布，等深度条件下，对比x轴方向不同位置处磁场相对于屏蔽孔2轴线磁场的偏差，在磁场变化小于5％时，可得B-dot环体1在x轴方向位置变化不超±0.1d，d为屏蔽孔孔径； B2当x＝0时，根据屏蔽孔2内部磁场B分布，等深度条件下，对比z轴方向不同位置处磁场相对于屏蔽孔2轴线磁场的偏差，在磁场变化小于5％时，可得B-dot环体1在z轴方向位置变化不超±0.17d； B3当y轴方向面积元内磁通dΦy小于8.4％，可得B-dot环体1在y轴方向位置变化不超±0.088dk； 4根据B-dot环体尺寸、B-dot沿屏蔽孔2轴线方向的尺寸、B-dot环体1位置及B-dot环面角度，制作微分型电流探测器。

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