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龙图腾网获悉中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种有源电流控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793765B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211589377.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种有源电流控制电路是由洪序达;于东洋;梁栋;郑海荣设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有源电流控制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及场致发射装置领域，具体涉及一种有源电流控制电路，包括：场致发射X射线源模块、漏极保护电阻、第一级MOS管电路、第二级MOS管电路；场致发射X射线源模块中的场致发射X射线源通过漏极保护电阻与第一级MOS管电路中的MOS管串联，第二级MOS管电路包括并联的两个MOS管，第二级MOS管电路中的两个MOS管并联后与第一级MOS管电路中的MOS管串联。本发明实施例中的有源电流控制电路，能够实现对场发射X射线源阴极发射电流的调节与稳定。适用于冷阴极场致发射X射线源阴极电流控制，具有实时性、高稳定性的特点，以低压信号控制级联MOSFET的方式实现冷阴极场致发射X射线源阴极电流的稳定和均衡。

本发明授权一种有源电流控制电路在权利要求书中公布了：1.一种有源电流控制电路，其特征在于，包括：场致发射X射线源模块、漏极保护电阻、第一级MOS管电路、第二级MOS管电路；所述场致发射X射线源模块中的场致发射X射线源通过所述漏极保护电阻与所述第一级MOS管电路中的MOS管串联，所述第二级MOS管电路包括并联的两个MOS管，所述第二级MOS管电路中的两个MOS管并联后与所述第一级MOS管电路中的MOS管串联； 其中，所述场致发射X射线源模块中的场致发射X射线源阴极通过所述漏极保护电阻与所述第一级MOS管电路中的MOS管的漏极串联； 所述场致发射X射线源模块的脉冲工作状态由所述第一级MOS管电路中的MOS管控制，通过给所述第一级MOS管电路中MOS管的栅极施加脉冲信号对其进行控制； 当栅极施加脉冲信号处于低电平，所述第一级MOS管电路中MOS管工作在截止状态，其将承担来自所述场致发射X射线源阴极的高电压，当栅极施加脉冲信号处于高电平，该高电平为使所述第一级MOS管电路中MOS管处在完全打开的饱和区； 所述第二级MOS管电路中，并联的两个MOS管中漏极与漏极相连，源极与源极相连；并联的两个MOS管的漏极与所述第一级MOS管电路中MOS管的源极相连； 所述第二级MOS管电路中两个MOS管的源级接地； 所述第一级MOS管电路中的MOS管、所述第二级MOS管电路中的两个MOS管栅极均通过MOS管栅极保护电阻再分别与MOS管栅极脉冲驱动电源、MOS管栅极直流驱动电源、MOS管栅极直流驱动电源进行连接。

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