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龙图腾网获悉浙江大学;杭州悦芯微电子有限公司申请的专利一种IGBT栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116155252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211446027.4，技术领域涉及：H03K17/567；该发明授权一种IGBT栅极驱动电路是由何乐年;蒋晨飞;何丹妮;余金涛;奚剑雄设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IGBT栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT栅极驱动电路，包括驱动控制信号模块和栅极驱动模块；驱动控制信号模块与栅极驱动模块相连，用于向栅极驱动模块提供驱动信号；栅极驱动信号与IGBT连接，用于根据驱动信号进行处理输出驱动电压和驱动电流以驱动IGBT导通或关断。相较于传统的单管驱动和推挽式驱动而言，本发明栅极驱动模块能在IGBT导通或关断后不产生压降，使驱动电压与设计电压相等，同时提供了更强的电流输出能力，减小了开关损耗。本发明同时兼有NMOS电流输出能力强以及PMOS能够实现轨对轨输出的优点，并且解决了NMOS作为导通驱动管的耐压安全问题。

本发明授权一种IGBT栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种IGBT栅极驱动电路，其特征在于，包括驱动控制信号模块和栅极驱动模块； 所述驱动控制信号模块与栅极驱动模块相连，用于向栅极驱动模块提供驱动信号，所述驱动信号包括导通控制信号和关断控制信号； 所述栅极驱动模块与IGBT的栅极连接，用于对所述驱动信号进行处理，输出驱动电压和驱动电流以驱动IGBT通断； 所述栅极驱动模块包括电压控制模块、导通功率管M3和M4、关断功率管M5以及片外的门级电阻RG，所述电压控制模块根据驱动信号的变化来控制导通功率管M3的通断，其中M3的漏极与M4的漏极相连并接正电源电压VDD，M3的栅极接电压控制模块提供的栅极电压信号，M4的栅极接导通控制信号，M3的源极与M4的源极、M5的漏极以及RG的一端相连，M5的栅极接关断控制信号，M5的源极接负电源电压VEE，RG的另一端与IGBT的栅极连接； 所述电压控制模块包括PMOS管M1、NMOS管M2、二极管D1和D2以及电阻R1，其中M1的源极接正电源电压VDD，M1的栅极接导通控制信号，M1的漏极与M2的漏极、R1的一端、D2的阴极以及M3的栅极相连，R1的另一端与D1的阳极相连，D1的阴极与D2的阳极以及M3的源极相连，M2的栅极接关断控制信号，M2的源极接负电源电压VEE。

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