买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115764330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211335285.5，技术领域涉及：H01Q21/00；该发明授权一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法是由邓固颖;张云华;何思远;朱国强设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法。本发明使用仿真软件对喇叭馈源进行全波仿真，分别获取调幅平板入射电场幅值和相位。根据调幅平板入射电场幅值和设定的调相平板出射电场幅值代入G‑S算法获取调幅平板出射电场相位、调相平板入射电场相位。根据调幅平板和调相平板的出射入射电场相位差分别计算调幅平板和调相平板超表面单元所要实现的相位。使用仿真软件对超表面单元进行频域求解仿真，并建立单元的结构相位模型；将调幅平板和调相平板超表面单元所要实现的相位通过结构相位模型，分别获取调幅平板和调相平板超表面单元的结构参数。本发明加入了调幅功能，在一个低剖面低成本的条件具有更高的设计自由度。

本发明授权一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超表面幅相分离调控的透射阵天线设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：使用仿真软件对喇叭初级馈源进行全波仿真，分别获取调幅平板入射电场幅值和调幅平板入射电场相位； 步骤2：根据调幅平板入射电场幅值和设定的调相平板出射电场幅值结合G-S算法进行相位恢复，分别获取调幅平板出射电场相位、调相平板入射电场相位； 步骤3：根据调幅平板入射电场相位和调幅平板出射电场相位计算调幅平板超表面单元所要实现的相位，根据设定的调相平板出射电场相位和调相平板入射电场相位计算调相平板超表面单元所要实现的相位； 步骤4：使用仿真软件对超表面单元进行频域求解仿真，获取不同结构参数的超表面单元透射系数相位，通过平滑拟合建立单元结构参数与透射系数相位之间的结构相位模型； 步骤5：将调幅平板超表面单元所要实现的相位通过结构相位模型获取调幅平板超表面单元的结构参数，将调相平板超表面单元所要实现的相位通过结构相位模型获取调相平板超表面单元的结构参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉大学，其通讯地址为：430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。