京东方科技集团股份有限公司左鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种显示基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915851B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211323412.X，技术领域涉及：H10K59/131；该发明授权一种显示基板及显示装置是由左鹏飞;郝艳军;文官印;杜小波;吴海东;周辉设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示基板及显示装置在说明书摘要公布了：一种显示基板及显示装置，所述显示基板包括：依次设置在基底上的驱动结构层和发光结构层，所述发光结构层可以包括依次设置在所述驱动结构层上的多个发光结构子层，设置在相邻的发光结构子层之间的连接层，所述发光结构子层包括设置在像素开口区域的发光层，至少一个连接层包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述基底的正投影位于所述像素开口区域在所述基底的正投影外，所述第二区域在所述基底的正投影至少部分位于所述像素开口区域在所述基底的正投影内，且所述第一区域的金属的掺杂浓度小于所述第二区域的金属的掺杂浓度。本实施例提供的方案，可以降低像素间区域的电子迁移率，降低像素间的串扰。
本发明授权一种显示基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括：依次设置在基底上的驱动结构层和发光结构层，所述发光结构层可以包括依次设置在所述驱动结构层上的多个发光结构子层，以及设置在相邻的发光结构子层之间的连接层，所述发光结构子层包括设置在像素开口区域的发光层，至少一个连接层包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述基底的正投影位于所述像素开口区域在所述基底的正投影外，所述第二区域在所述基底的正投影至少部分位于所述像素开口区域在所述基底的正投影内，且所述第一区域的金属的掺杂浓度小于所述第二区域的金属的掺杂浓度； 所述连接层包括设置在所述第二区域的第一电子注入层和设置在所述第一电子注入层远离所述基底一侧的N型电荷产生层，且与所述第一电子注入层相邻的N型电荷产生层无金属掺杂，或者掺杂的金属的浓度小于等于1%。
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