东华大学范苏娜获国家专利权
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龙图腾网获悉东华大学申请的专利一种用于多级存储的生物忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211307983.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种用于多级存储的生物忆阻器及其制备方法是由范苏娜;谢玉龙;刘枢滨;张耀鹏设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于多级存储的生物忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于多级存储的生物忆阻器及其制备方法，生物忆阻器由电极层、忆阻功能层和导电层顺序复合而成，其中，忆阻功能层由GO层、SF层结晶度为35～60％和GO层顺序复合而成；各个GO层的厚度为15～25nm，SF层的厚度为30～80nm，电极层的厚度为200～300nm；电极层为Al电极层或Ag电极层；制备方法为：在导电层的上表面依次旋涂GO分散液形成GO层、旋涂SF溶液后在乙醇水溶液中浸泡并干燥形成SF层，然后继续在SF层的上表面旋涂GO分散液形成GO层、沉积电极层。本发明的产品可通过调控限制电流实现器件在双阻态电阻切换和三阻态电阻切换之间的相互转变；本发明的制备方法简单易操作。
本发明授权一种用于多级存储的生物忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于多级存储的生物忆阻器，其特征在于，由电极层、忆阻功能层和导电层顺序复合而成，其中，忆阻功能层由GO层、SF层和GO层顺序复合而成，SF层的结晶度为35～60％； 各个GO层的厚度为15～25nm，SF层的厚度为30～80nm，电极层的厚度为200～300nm； 电极层为Al电极层或Ag电极层； 当调控限制电流值Icc≤0.01A时，用于多级存储的生物忆阻器具有双阻态电阻切换行为；当调控限制电流值Icc0.01A时，用于多级存储的生物忆阻器具有三阻态电阻切换行为； 当调控限制电流值Icc0.01A时，用于多级存储的生物忆阻器在一个开关周期内存在高、中、低三种电阻状态。
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