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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种探针卡结构及WAT测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211236189.5，技术领域涉及：G01R1/067；该发明授权一种探针卡结构及WAT测试方法是由刘倩倩;宋永梁;高玉珠;季鸣设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种探针卡结构及WAT测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种探针卡结构及WAT测试方法，针环设置在PCB板的下表面，与PCB板的下表面紧密贴合；探针组包括N个探针及M个电容，相邻两个探针通过一个所述电容进行连接；各探针均包括接口装置、第一线缆、第二线缆及针头，接口装置与所述第一线缆电连接，且均设置在PCB板的上表面；第二线缆设置在PCB板的下表面，第一端基于过孔与第一线缆电连接；针头通过安装装置设置在针环上，并与第二线缆的第二端电连接；通过在探针组中相邻的探针之间设置电容，使探针卡结构能够实现对晶圆内部电容值通常小于皮法级别的电容的精准测量。结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。

本发明授权一种探针卡结构及WAT测试方法在权利要求书中公布了：1.一种探针卡结构，用于测量晶圆内部的电容，其特征在于，所述探针卡结构至少包括： PCB板、针环及探针组，其中： 所述针环设置在所述PCB板的下表面，与所述PCB板的下表面紧密贴合； 所述探针组包括N个探针及M个电容，相邻两个所述探针通过一个所述电容进行连接，其中，N为大于等于3的自然数，M为大于等于2的自然数；各所述探针均包括接口装置、第一线缆、第二线缆及针头，所述接口装置与所述第一线缆电连接，且均设置在所述PCB板的上表面；所述第二线缆设置在所述PCB板的下表面，第一端基于过孔与所述第一线缆电连接；所述针头通过安装装置设置在所述针环上，并与所述第二线缆的第二端电连接； 其中，通过所述接口装置，使测试设备与所述探针卡结构连接；通过所述针头，使晶圆与所述探针卡结构连接，测试设备基于所述探针卡结构对晶圆内部的电容进行测量； 其中，所述探针卡结构包括沿顺时针方向或沿逆时针方向依次相邻的探针A、探针B及探针C；所述晶圆包括至少一个独立的待测单元，其中，所述待测单元包括：沿横向或沿纵向依次相邻的焊盘A、焊盘B和焊盘C，以及连接于焊盘A与焊盘C之间的所述待测电容，焊盘A与焊盘B之间存在寄生电容C寄生1，焊盘B与焊盘C之间存在寄生电容C寄生2；其中，进行电容测量时，探针A与焊盘A连接，探针B与焊盘B连接，探针C与焊盘C连接。

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