江西兆驰半导体有限公司周志兵获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211212636.3，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED是由周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、第二半导体层和本征半导体层，采用磁控溅射技术对本征半导体层进行表层掺杂和初次粗化，采用离子注入技术推进掺杂和二次粗化；退火使得本征把半导体层转换为P型半导体层。其中，磁控溅射时，溅射靶与衬底之间的角度≥30°。实施本发明，可在外延片表面形成自组装的纳米结构，提升了光提取效率。同时可使得掺杂更加均匀，提升发光效率。此外，该制备方法无需掩膜、简单快速、成本低。
本发明授权表面粗化的LED外延片及其制备方法、LED在权利要求书中公布了：1.一种表面粗化的LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、非掺半导体层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层； 2在所述第二半导体层上生长本征半导体层，得到中间品； 3将所述中间品加载至真空溅射室中，采用高能离子束轰击溅射靶得到的原子溅射所述本征半导体层，以对本征半导体层进行掺杂；其中，所述高能离子束为氩离子高能离子束，能量为30-60keV；所述溅射靶与所述中间品呈预设角度，以使溅射时对所述本征半导体层进行初次粗化，所述预设角度≥30°； 4将步骤3得到的中间品加载至真空离子注入机中，采用低能离子束轰击掺杂后的本征半导体层，以推进本征半导体层中的掺杂元素，同时对所述本征半导体层进行二次粗化；其中，所述低能离子束为N+低能离子束，能量为200-1000eV； 5将步骤4得到的中间品退火，以使本征半导体层转化为P型半导体层，得到表面粗化的LED外延片成品。
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